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9、向含有Br₂和BaCl₂的酸性溶液中通入SO₂氣體，有沉淀生成，此沉淀是　　

　A．BaSO₄ 　B．BaS　　　　 　　C．BaSO₃ 　　D．S

8、如圖示的裝置中，把X溶液逐滴滴下與Y物質(zhì)反應(yīng)，若X

為濃硫酸，Y為第三周期金屬元素中常溫下與水難反應(yīng)的單

質(zhì)。Z為品紅溶液。實(shí)驗(yàn)中觀察到Z褪色。則Y為

A．Na　　　 B．Mg　C．Al　　　　　 D．Mg或Al

7、下列敘述正確的是

　 A、48gO₃氣體含有6.02×10²³個(gè)O₃分子

　 B、5.6g Fe與足量的稀鹽酸反應(yīng)發(fā)生電子0.3 mol

　 C、0.5mol·L^-1CuCl₂溶液中含有3.01×10²³個(gè)Cu²⁺

　 D、標(biāo)準(zhǔn)狀況下，33.6LH₂O含有9.03×10²³個(gè)H₂O分子

6、1 g氫氣燃燒生成液態(tài)水放出142．9 kJ熱，表示該反應(yīng)的熱化學(xué)方程式正確的是

A．2H₂(g)+O₂(g)====2H₂O(l)；ΔH=－142．9 kJ·mol^－1

B．2H₂(g)+O₂(g)====2H₂O(l)；ΔH=－571．6 kJ·mol^－1

C．2H₂+O₂====2H₂O；ΔH=－571．6 kJ·mol^－1

D．2H₂(g)+O₂(g)====2H₂O(l)；ΔH=+571．6 kJ·mol^－1

5、下列化學(xué)反應(yīng)的離子方程式正確的是

　 A、用小蘇打治療胃酸過多： HCO₃^- + H⁺ == CO₂↑+ H₂O

　 B、往碳酸鎂中滴加稀鹽酸： CO₃^2- + 2H⁺ == CO₂↑+ H₂O

　 C、往氨水中滴加氯化鋁：　 Al³⁺ + 4OH^- == AlO₂^- + 2H₂O

　 D、氫氧化鋇溶液與稀硫酸反應(yīng)： Ba²⁺ + SO₄^2- + H⁺ + OH^- == BaSO₄↓+ H₂O

4、2008年北京奧運(yùn)會(huì)主體育場(chǎng)--“鳥巢”，被《泰晤士報(bào)》評(píng)為全球 “最強(qiáng)悍”工程。 “鳥巢”運(yùn)用了高強(qiáng)度、高性能的釩氮合金高新鋼和884塊ETFE膜，并采用新一代的氮化鎵高亮度LED材料。有關(guān)說法正確的是

A．合金的熔點(diǎn)通常比組分金屬高，硬度比組分金屬小

B．已知Ga處于ⅢA主族，可推知氮化鎵化學(xué)式為Ga₃N₂

C．用金屬鋁與V₂O₅冶煉釩，鋁作還原劑

D．ETFE膜()是由兩種單體縮聚而成的

3、氯氣是一種重要的工業(yè)原料。工業(yè)上利用反應(yīng)在3Cl₂ + 2NH₃ = N₂ + 6HCl檢查氯氣管道是否漏氣。下列說法錯(cuò)誤的是

　 A、若管道漏氣遇氨就會(huì)產(chǎn)生白煙；　　 B、該反應(yīng)利用了Cl₂的強(qiáng)氧化性

　 C、該反應(yīng)屬于復(fù)分解反應(yīng)；　　　　　 D、生成1molN₂有6mol電子轉(zhuǎn)移

2、如果用排水法收集濃硝酸受熱分解所產(chǎn)生的氣體，則　　　　　　　　　

　A．收集到NO　　 B．收集到NO₂　　 C．收集到O₂　　 D．收集不到任何氣體

1、下列說法正確的是

A．SiH₄比CH₄穩(wěn)定

B．O^2―半徑比F^―的小

C．Na和Cs屬于第ⅠA族元素，Cs失電子能力比Na的強(qiáng)

D．P和As屬于第ⅤA族元素，H₃PO₄酸性比H₃AsO₄的弱

23、以下是某同學(xué)測(cè)定硫酸銅晶體(CuSO4·xH2O)中結(jié)晶水含量的實(shí)驗(yàn)方案。

實(shí)驗(yàn)用品：硫酸銅晶體、研缽、干燥器、坩堝、三腳架、玻璃棒、藥匙、托盤天平

實(shí)驗(yàn)步驟：

① 準(zhǔn)確稱量一個(gè)干凈、干燥的坩堝；

② 在坩堝中加入一定量的硫酸銅晶體試樣，稱重，將稱量的試樣放入研缽中研細(xì)，再放回到坩堝中；

③ 將盛有試樣的坩堝加熱，待晶體變成白色粉末時(shí)，停止加熱；

④ 將步驟③中的坩堝放入干燥器，冷卻至室溫后，稱重；

⑤ 將步驟④中的坩堝再加熱一定時(shí)間，放入干燥器中冷卻至室溫后稱量。重復(fù)本操作，直至連續(xù)兩次稱量的質(zhì)量差不超過0.1g為止；

⑥ 計(jì)算硫酸銅晶體化學(xué)式中x的實(shí)驗(yàn)值。

分析該方案并回答下面問題：

(1)完成本實(shí)驗(yàn)還需要的實(shí)驗(yàn)用品是　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　　　；

(2) 指出實(shí)驗(yàn)步驟②中存在的錯(cuò)誤并改正：　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 ；

(3)硫酸銅不能放置在空氣中冷卻的原因是　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 ；

(4)步驟⑤的目的是　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 ；

(5)若坩堝的質(zhì)量為m，坩堝與硫酸銅晶體的質(zhì)量為m1，加熱后稱量坩堝與無水硫酸銅的質(zhì)量為m2，則晶體CuSO4·xH2O中，x ＝　　　　　　　　　　　　　　　 (寫表達(dá)式)；

(6)下面的情況有可能造成測(cè)試結(jié)果偏高的是　　　　　　　　　　　　　 (填序號(hào))。

　　 A．試樣中含有加熱不揮發(fā)的雜質(zhì)　　　 B．試樣中含有加熱易揮發(fā)的雜質(zhì)

C．測(cè)試前試樣已有部分脫水　　　　　 D．實(shí)驗(yàn)前坩堝未完全干燥

　E．晶體加熱脫水不完全　　　　　　　 F．加熱時(shí)有晶體濺出