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1560.8

異丁烷

2878.0

乙烷

891.0

正丁烷

21．以下是一些烷烴的燃燒熱（KJ/mol）數據，試回答下列問題：

化合物

燃燒熱

化合物

燃燒熱

甲烷

試回答下列有關問題：

   ⑴X的化學式             ，X的熔點為801℃，實際工業冶煉中常常加入40%Y共熔，猜想工業上這樣做的目的                                              。

⑵Y在實驗室中的用途              （列舉一例）。

   ⑶反應②的化學方程式是_____________________________________________。

⑷反應③的離子方程式是                                             。

五．（本題包括1小題，共9分）

20．下圖表示各物質之間的轉化關系，其中反應的部分產物已被省去。①、②為工業生產及應用中常見反應，B是一種具有漂白作用的鹽，Y易潮解，F是一種淡黃色固體。

19．原子序數依次增大的A、B、C、D四種短周期元素。元素A的原子半徑在短周期中最小，元素C的單質在空氣中含量最多，D所在周期的各元素單質沸點變化如圖I（原子序數按遞增順序連續排列）。B、C、D三種元素均能與A形成等電子的三種分子，且化合物中各原子的個數比為：

化合物

甲

乙

丙

原子個數比

B∶A=1∶3

C∶A=1∶2

D∶A=1∶2

⑴元素D在元素周期中的位置                     。

⑵B、C形成的一種化合物X是一種原子晶體，晶體  

中B、C原子均達到穩定結構，則X的化學式為    

         ；X的熔點         金剛石（填“大于”、

“等于”或“小于”）。

⑶寫出圖I中沸點最高的單質與NaOH溶液反應的離子方程式：                                               。

⑴粗硅與HCl反應完全后，經冷凝得到的SiHCl₃（沸點33.0℃）中含有少量SiCl₄沸點57.6℃）和HCl（沸點－84.7℃），提純SiHCl₃采用的方法為：____________________。

⑵用SiHCl₃與過量H₂反應制備純硅的裝置如下（熱源及夾持裝置略去）：

①裝置B中的試劑是________________________，裝置C中的燒瓶需要加熱，其目的是：___________________________________________________________。

②反應一段時間后，裝置D中觀察到的現象是________________________，裝置D不能采用普通玻璃管的原因是____________________________________，裝置D中發生反應的化學方程式為____________________________________。

③為保證制備純硅實驗的成功，操作的關鍵是檢查實驗裝置的氣密性，控制好反應溫度以及____________________________________。

④為鑒定產品硅中是否含微量鐵單質，請設計一個簡單的實驗方案，簡述有關實驗步驟。                                                                        

                                                              。

18．（16分）已知：制備純硅的主要步驟如下：

①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅；②粗硅與干燥HCl氣體反應制得SiHCl₃：Si+3HClSiHCl₃+H₂；③SiHCl₃與過量H₂在1000～1100℃反應制得純硅。

已知：SiHCl₃能與H₂O強烈反應，在空氣中易自燃。

請回答下列問題：

②用10 mL量筒量取5.80 mL鹽酸；   

③用稀醋酸可除去熱水瓶內的水垢；

④檢驗鹵代烴中鹵素時，可將鹵代烴直接加入硝酸酸化的硝酸銀溶液中

⑤金屬鈉著火可用干燥的細沙撲滅；

⑥用排水法收集氫氣時，不需要檢驗純度，可直接點燃；

⑦檢驗碳酸鈉溶液中是否混有氫氧化鈉可先加足量的氯化鈣溶液，再滴入酚酞試液；

⑧可用過濾法除去氧氫化鐵膠體中少量的氯化鐵和鹽酸。