【題目】下列說法正確的是（ ）
A.電離平衡常數可以表示弱電解質的相對強弱
B.電離平衡常數受溶液濃度的影響
C.H2CO3的電離常數表達式：K=
D.電離常數大的酸溶液中c(H＋)一定比電離常數小的酸中大
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【題目】下列說法正確的是( )
A.2-苯基丙烯 
分子中所有碳原子一定在同一平面上
B.2-甲基-1，3-丁二烯與等物質的量的Br2發生加成反應，產物可能有3種。
C.在銀鏡反應中為快速析出銀鏡，我們一般采用玻璃棒攪拌加快反應速率
D.若苯中含有苯酚雜質，可加入濃溴水使苯酚生成三溴苯酚沉淀，然后過濾除去
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【題目】有機物A常用于食品行業，已知9.2 g A在足量的O2中充分燃燒，將生成的混合氣體依次通過足量的濃硫酸和堿石灰，二者分別增重3.6g和8.8 g，經檢驗剩余氣體為O2。
(1)有機物A的質譜圖如下圖所示，從圖中可知其相對分子質量是___。
(2)A的結構簡式為___。
(3)用A進行下列反應
①銀鏡反應：A在進行銀鏡反應之前必須在其中加入一定量的_______，因為_______。
②A發生銀鏡反應的化學方程式為_____________。
③寫出A和乙醇反應的化學方程式___________。
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【題目】單質硫在NaOH的熱濃溶液中發生歧化反應，將2.56g硫與含0.0600molNaOH的熱溶液反應恰好生成amolNa2Sx和bmolNa2S2O3，再加入1.00mol/L的NaClO溶液VmL，使溶液中所有硫元素全部轉化為Na2SO4。計算：(1)a/b=________；
(2)V至少為___________。
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【題目】工業上可由天然氣為原料制備甲醇，也可由水煤氣合成甲醇．
已知：
，
，
。試寫出由
和
制取甲醇的熱化學方程式：______；
通過下列反應制備甲醇：
，圖甲是反應時
和
的濃度隨時間t的變化情況，從反應開始到平衡，用
表示平均反應速率
______，平衡時CO的轉化______．
在一容積可變的密閉容器中充入
和
，CO的平衡轉化率隨溫度
、壓強
的變化如圖乙所示．
下列說法不能判斷該反應達到化學平衡狀態的是______
填字母
A 的消耗速率等于
的生成速率的2倍
B 的體積分數不再改變
C 體系中的轉化率和CO的轉化率相等
D 體系中氣體的平均摩爾質量不再改變
比較A、B兩點壓強大小
______
填“
、
、
”
若達到化學平衡狀態A時，容器的體積為20L，如果反應開始時仍充入和
2，則在平衡狀態B時，容器的體積
______L；
以甲醇為燃料，氧氣為氧化劑，KOH溶液為電解質溶液，可制成燃料電池電極材料為惰性電極
若KOH溶液足量，則電池負極反應的離子方程式為______；
若電解質溶液中KOH的物質的量為
，當有
甲醇參與反應時，電解質溶液中各種離子的物質的量濃度由大到小的順序是______．
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【題目】氮化鈣（Ca3N2）是一種重要的化學試劑，通常條件下為棕色易水解的固體。某小組在實驗室制備氮化鈣并測定其純度，設計如下實臉（夾持裝置略去）：
I．氮化鈣的制備。
（1）加熱條件下，鈣和氮氣制備氮化鈣的反應方程式為_________。
（2）按氣流由左到右的方向，上述裝置合理的連接順字為__________(填儀器接口字母)。
（3）按連接好的裝置進行實驗。
①實驗步驟如下，檢查裝置氣密性，加入藥品：_______（請按正確順序填入下列步驟的字母標號）。
a.點燃裝置C處酒精燈，反應一段時間
b.打開分液漏斗活塞
c.點燃裝置A處酒精燈
d.熄滅裝置A處酒精燈
e.熄滅裝置C處酒精燈
f.關閉分液漏斗活塞
②裝置B的作用為_________。
③裝置C的硬質玻璃管中的現象為_________。
（4）設計實驗證明Ca3N2中混有鈣單質：_______________。
II．測定氮化鈣純度。
i.稱取4.0g反應后的固體，加入足量水，將生成的氣體全部蒸出并通入100.00mL 1 .00mol/L鹽酸中，充分反應后，將所得溶液稀釋到200 . 00 mL;
ii．取20 . 00mL稀釋后的溶液，用0 . 2mol/LNaOH標準溶液滴定過量的鹽酸，到終點時消耗標準溶液25 . 00 mL。
（5）所取固體中氮化鈣的質量分數為_____________。
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【題目】某溫度下，相同pH的鹽酸和醋酸溶液分別加水稀釋，pH隨溶液體積變化的曲線如圖所示。據圖判斷正確的是 （ ）
A.Ⅱ為鹽酸稀釋時pH變化曲線
B.a點Kw的數值比c點Kw的數值大
C.b點溶液的導電性比c點溶液的導電性強
D.b點酸的總濃度大于a點酸的總濃度
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【題目】現有前四周期T、X、Y、Z、W、M六種元素，已知W、Z、X、T、Y五種非金屬元素原子半徑依次減小，其中W原子的s電子總數等于p電子總數的2倍，M原子的M能層上有4個未成對電子。請回答下列問題：
(1)寫出W、Z、X、T四種元素第一電離能由大到小的順序：____________(用元素符號表示)。
(2)基態M原子的核外電子排布式為__________________________。
(3)根據VSEPR理論，推斷出由W與X兩元素組成的最簡單二價陰離子的立體構型為____________，W原子的雜化類型為____________。
(4)Y與T、X、Z、W所形成的最簡單化合物的沸點由高到低的順序為__________________________(用化學式表示)。
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【題目】鍺是第四周期第ⅣA族元素，鍺是重要的半導體材料，用于制造晶體管及各種電子裝置。下圖為以鍺鋅礦(含GeO2、ZnS及少量Fe2O3)為原料生產高純度鍺的工藝流程如下：
已知：GeO2可溶于強堿溶液，生成鍺酸鹽。GeCl4的熔點為－49.5℃，沸點為84℃，在水中或酸的稀溶液中易水解。
回答下列問題：
(1)步驟①中提高堿浸效率的措施有______________________(寫一種)，NaOH溶液堿浸時發生反應的離子方程式為______________________。
(2)操作a的名稱是___________，GeCl4的電子式為_______________。
(3)濾渣1中除含有ZnS外，還含有少量___________。濾渣2中除含有 CaGeO3外，還含有少量___________。
(4)步驟⑤中加入濃鹽酸，發生反應的化學方程式為______________________。不用稀鹽酸的原因是______________________。
(5)寫出一種證明步驟⑧反應完全的操作方法：______________________。
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