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砷化鎵屬于第三代半導體，它能直接將電能轉變為光能，砷化鎵燈泡壽命是普通燈泡的100倍，而耗能只有其10%，推廣砷化鎵等發光二極管（LED）照明，是節能減排的有效舉措，已知砷化鎵的晶胞結構如右圖。試回答下列問題

（1）下列說法正確的是     ▲       （選填序號）。
A．砷化鎵晶胞結構與NaCl相同   B．第一電離能：As＞Ga
C．電負性:As＞Ga               D．砷和鎵都屬于p區元素
E．半導體GaP、SiC與砷化鎵為等電子體
（2）砷化鎵是將(CH₃)₃Ga和AsH₃用MOCVD方法制備得到， 該反應在700℃進行，反應的方程式為：          ▲           。
AsH₃空間形狀為：     ▲      (CH₃)₃Ga中鎵原子雜化方式為：     ▲     。
（3）Ga的核外電子排布式為：      ▲       。
（4）AsH₃沸點比NH₃低，其原因是：        ▲       。

我們知道：過平行四邊形紙片的一個頂點，作一條垂線段，沿這條垂線段剪下這個三角形紙片，將它平移到右邊的位置，平移距離等于平行四邊形的底邊長a，可得到一個矩形（如圖1）。（1）在圖2的紙片中，AD＞AB，按上述方法，你能使所得的四邊形是菱形嗎？如果能，畫出這條線段及平移后的三角形（用陰影部分表示）；如果不能，請說明理由。（2）什么樣的平行四邊形紙片按上述方法能得到正方形？畫出這個平行四邊形，并說明理由。