Question

砷化鎵屬于第三代半導體，它能直接將電能轉變為光能，砷化鎵燈泡壽命是普通燈泡的100倍，而耗能只有其10%，推廣砷化鎵等發光二極管（LED）照明，是節能減排的有效舉措，已知砷化鎵的晶胞結構如右圖。試回答下列問題

（1）下列說法正確的是     ▲       （選填序號）。
A．砷化鎵晶胞結構與NaCl相同   B．第一電離能：As＞Ga
C．電負性:As＞Ga               D．砷和鎵都屬于p區元素
E．半導體GaP、SiC與砷化鎵為等電子體
（2）砷化鎵是將(CH₃)₃Ga和AsH₃用MOCVD方法制備得到， 該反應在700℃進行，反應的方程式為：          ▲           。
AsH₃空間形狀為：     ▲      (CH₃)₃Ga中鎵原子雜化方式為：     ▲     。
（3）Ga的核外電子排布式為：      ▲       。
（4）AsH₃沸點比NH₃低，其原因是：        ▲       。

Answer 1

（1）BCDE
（2）(CH₃)₃Ga+AsH₃ GaAs+3CH₄
(或：)。三角錐，sp²
（3）1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d¹⁰4s²4p¹
 
（4）NH₃分子間能形成氫鍵，而As電負性小，半徑大，分子間不能形成氫鍵。解析:
本題只是把選修3中新增知識點簡單羅列。（1）中要能識別砷化鎵晶胞結構和NaCl的簡單立方不同，其他選項均好判斷；（2）方程式可以看做取代，沒有化合價變化；（3）為記憶性；（4）考查的是氫鍵。