Question

【題目】根據(jù)題給要求填空

(1)某元素的基態(tài)原子最外層電子排布式為3s23p2，它的次外層上電子云形狀有________種，原子中所有電子占有________個(gè)軌道，核外共有________種運(yùn)動(dòng)狀態(tài)不同的電子。

(2)E原子核外占有9個(gè)軌道，且具有1個(gè)未成對(duì)電子，E離子結(jié)構(gòu)示意圖是_______。

(3)F、G都是短周期元素，F2－與G3＋的電子層結(jié)構(gòu)相同，則G元素的原子序數(shù)是________，F2－的電子排布式是______。

(4)M能層上有________個(gè)能級(jí)，有________個(gè)軌道，作為內(nèi)層最多可容納________個(gè)電子，作為最外層時(shí)，最多可含有________個(gè)未成對(duì)電子。

Answer 1

【答案】2 8 14 13 1s22s22p6 3 9 18 3

【解析】

(1)某元素的基態(tài)原子最外層電子排布為3s23p2，該元素為Si，核外電子排布式為1s22s22p63s23p2，次外層能級(jí)為2s、2p，有s、p兩種不同的軌道，電子云形狀有2種。原子中所有電子占有8個(gè)軌道，分別為1s、2s、3s共3個(gè)軌道，3個(gè)2p軌道，2個(gè)3p軌道；原子核外有14個(gè)電子，每個(gè)電子的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)都不一樣，因此有14種不同的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)；

(2)E原子核外占有9個(gè)軌道，且具有1個(gè)未成對(duì)電子，則其核外電子排布圖為，從圖可知，該原子為Cl原子，得到1個(gè)電子，形成Cl－，其結(jié)構(gòu)示意圖為；

(3)F、G都是短周期元素，F2－與G3＋的電子層結(jié)構(gòu)相同，F為短周期元素，能夠形成離子F2－，只能是O2－或S2－，但是G也是短周期元素，G3＋的電子層結(jié)構(gòu)與F2－相同，如果F是S元素，則G不是短周期元素，因此F為O，G為Al；G為Al，其原子序數(shù)為13；F2－是O2－，其電子排布式1s22s22p6；

(4)M能層上3個(gè)能級(jí)，分別為3s、3p、3d；3s有1個(gè)軌道，3p有3個(gè)軌道，3d有5個(gè)軌道，共9個(gè)軌道；每個(gè)軌道可以容納2個(gè)電子，作為內(nèi)層最多可容納9×2=18個(gè)電子；作為最外層時(shí)，只有3s、3p能級(jí)上填充電子，未成對(duì)電子最多，則3個(gè)3p軌道上均只有1個(gè)電子，最多可含有3個(gè)未成對(duì)電子。