Question

【物質結構與性質】
以氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導體材料目前已成為全球半導體研究的前沿和熱點。回答下列問題：
（1）鎵為元素周期表第31號元素，鎵原子價層電子排布圖為___________。
（2）氮所在主族中第一電離能最大的元素是________（填元素符號，下同），鎵所在主族中電負性最大的元素是____________________。
（3）傳統的氮化鎵制備方法是采用GaCl₃與NH₃在一定條件下反應，該反應的化學方程式為______________。
（4）氮化鎵與金剛石具有相似的晶體結構，氮化鎵中氮原子與鎵原子之間以____相結合，氮化鎵屬于_______晶體。
（5）下圖是氮化鎵的晶胞模型：
 
①氮化鎵中鎵原子的雜化方式為__________，氮原子的配位數為___________。
②氮化鎵為立方晶胞，氮化鎵的密度為d g/cm³。列出計算氮化鎵晶胞邊長a的表達式：a=_______cm。

Answer 1

（1）
（2）N ；B
（3）GaCl₃+NH₃=GaN+3HCl
（4）共價鍵  原子
（5）①sp²   4   ②   

解析