【題目】如圖為某石英晶體的平面結(jié)構(gòu)示意圖，它實(shí)際上是立體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)(可以看作晶體硅中的每個(gè)Si—Si鍵中插入一個(gè)O)。在石英晶體中，氧原子與硅原子的個(gè)數(shù)的比值和由硅原子、氧原子鐵石構(gòu)成的最小環(huán)上Si、O的原子個(gè)數(shù)之和分別是( )
A.1 8B.2 12C.1/2 8D.1/2 12
【答案】B
【解析】
由石英晶體的平面結(jié)構(gòu)可知(當(dāng)然立體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)也一樣)，每個(gè)Si周圍結(jié)合4個(gè)O，而每個(gè)O周圍結(jié)合2個(gè)Si，所以石英晶體中氧原子和硅原子個(gè)數(shù)之比為2∶1，由于石英晶體是立體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，可以看成晶體硅中的每個(gè)Si—Si鍵上插有一個(gè)O(如圖所示)
，因此在石英晶體中，由硅原子、氧原子構(gòu)成的最小環(huán)上具有的Si、O的原子個(gè)數(shù)之和是12(6個(gè)Si和6個(gè)O)，故B正確。
故選B。
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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：
【題目】將鋅銅合金溶解后與足量KI溶液反應(yīng)(Zn2+不與I－反應(yīng))，生成的I2用Na2S2O3標(biāo)準(zhǔn)溶液滴定，根據(jù)消耗的Na2S2O3溶液體積可測(cè)算合金中銅的含量。實(shí)驗(yàn)過程如下圖所示：
回答下列問題：
（1）H2O2的電子式為___________；“酸浸氧化”后銅元素的主要存在形式是___________(填離子符號(hào))。
（2）“煮沸”的目的是____________________________________________。
（3）用緩沖溶液“調(diào)pH”是為了避免溶液的酸性太強(qiáng)，否則“滴定”時(shí)發(fā)生反應(yīng)的離子方程式：_______________________________________________________；
①若100mLNa2S2O3溶液發(fā)生上述反應(yīng)時(shí)，20s后生成的SO2比S多6.4g，則v(Na2S2O3)=___________mol/(L·s)(忽略溶液體積變化的影響)。
②該緩沖溶液是濃度均為0.10mol/L的CH3COOH和 CH3 COONH4的混合溶液。25℃時(shí)，溶液中各種離子濃度由大到小的順序?yàn)?/span>_________________________________。(已知：25℃時(shí)，Ka(CH3COOH)=Kb(NH3·H2O)=1.8×10－5)
（4）“沉淀”步驟中有CuI沉淀產(chǎn)生，反應(yīng)的離子方程式為______________________。
（5）“轉(zhuǎn)化”步驟中，CuI轉(zhuǎn)化為 CuSCN， CuSCN吸附I2的傾向比CuI更小，使“滴定”誤差減小。沉淀完全轉(zhuǎn)化后，溶液中c(SCN－)：c(I－)≥___________。(已知：Ksp(CuI)=1.0×10－12；Ksp( CuSCN)=4.4×10－15)
（6）下列情況可能造成測(cè)得的銅含量偏高的是___________(填標(biāo)號(hào))。
A.銅鋅合金中含少量鐵
B.“沉淀”時(shí)，I2與I－結(jié)合生成I3－：I2+ I－= I3－
C.“轉(zhuǎn)化后的溶液在空氣中放置太久，沒有及時(shí)滴定
D.“滴定”過程中，往錐形瓶?jī)?nèi)加入少量蒸餾水
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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：
【題目】在固定2L密閉容器中，充入X、Y各2 mol，發(fā)生可逆反應(yīng) X(g)+2Y(g) 
2 Z(g)，并達(dá)到平衡，以Y的濃度改變表示的反應(yīng)速率v（正）、v（逆）與時(shí)間t的關(guān)系如圖，
則Y的平衡濃度(mol / L)表示式正確的是（式中S指對(duì)應(yīng)區(qū)域的面積）
A、2 – S aob B、1 – Saob
C、2 – S abdo D、1 – S bod
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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：
【題目】結(jié)合元素周期表，用化學(xué)用語回答下列問題：
（1）表中的實(shí)線是元素周期表的部分邊界，請(qǐng)?jiān)趫D中用實(shí)線補(bǔ)全元素周期表的邊界。_______
（2）表中所列元素，屬于短周期元素的有____，屬于主族元素的有___種；i元素位于第_____周期第______族。
（3）元素f是第____周期____族元素，請(qǐng)?jiān)谌鐖D方框中按氮元素的式樣寫出該元素的原子序數(shù)、元素符號(hào)、元素名稱、相對(duì)原子質(zhì)量。______
（4）在元素周期表中，同一族（縱行）的元素具有相似的化學(xué)性質(zhì)。則下列各組元素具有相似化學(xué)性質(zhì)的是_______（填標(biāo)號(hào)）。
A. He和Ne B. B和Mg C. Al和Si D. F和Cl
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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：
【題目】一定條件下存在反應(yīng)：2SO2(g)+O2(g)
2SO3(g)，其正反應(yīng)放熱�，F(xiàn)有三個(gè)體積相同的密閉容器Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ，按如下圖所示投料，并在400℃條件下開始反應(yīng)。達(dá)到平衡時(shí)，下列說法正確的是( )
A. 容器I、Ⅲ中平衡常數(shù)相同
B. 容器II、Ⅲ中正反應(yīng)速率相同
C. 容器Ⅱ、Ⅲ中的反應(yīng)達(dá)平衡時(shí)，SO3的體積分?jǐn)?shù)：II 〈 III
D. 容器Ⅰ中SO2的轉(zhuǎn)化率與容器Ⅱ中SO3的轉(zhuǎn)化率之和小于1
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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：
【題目】氯堿廠電解飽和食鹽水制取的工藝流程圖如下：
(1)在電解過程中，與電源正極相連的電極上所發(fā)生反應(yīng)的電極反應(yīng)式為______________，與電源負(fù)極相連的電極上所發(fā)生反應(yīng)的電極反應(yīng)式為__________________。
(2)工業(yè)食鹽含Ca2＋、Mg2＋等雜質(zhì)，精制過程中發(fā)生反應(yīng)的離子方程式為________________________________________________________________________。
(3)如果粗鹽中
含量較高，必須添加鋇試劑除去，該鋇試劑可以是______(填字母)。
a、Ba(OH)2 b、Ba(NO3)2 c、BaCl2
(4)為有效除去Ca2＋、Mg2＋、，加入試劑的合理順序?yàn)?/span>________。
a、先加NaOH，后加Na2CO3，再加鋇試劑
b、先加NaOH，后加鋇試劑，再加Na2CO3
c、先加鋇試劑，后加NaOH，再加Na2CO3
(5)脫鹽工序中利用NaOH和NaCl在溶解度上的差異，通過________、冷卻、結(jié)晶、________(填寫操作名稱)除去NaCl。
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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：
【題目】某校學(xué)生用下圖所示裝置進(jìn)行實(shí)驗(yàn)。以探究苯與溴發(fā)生反應(yīng)的原理并分離提純反應(yīng)的產(chǎn)物。
請(qǐng)回答下列問題：
(1)寫出裝置Ⅱ中發(fā)生的主要化學(xué)反應(yīng)方程式____________________________，其中冷凝管所起的作用為導(dǎo)氣和________，Ⅳ中球形干燥管的作用是__________。
(2)實(shí)驗(yàn)開始時(shí)，關(guān)閉K2、開啟K1和分液漏斗活塞，滴加苯和液溴的混合液，反應(yīng)開始。Ⅲ中小試管內(nèi)苯的作用是_________________________。
(3)能說明苯與液溴發(fā)生了取代反應(yīng)的現(xiàn)象是______________________。
(4)反應(yīng)結(jié)束后，要讓裝置Ⅰ中的水倒吸入裝置Ⅱ中以除去裝置Ⅱ中殘余的HBr氣體。簡(jiǎn)述如何實(shí)現(xiàn)這一操作：______________________________________。
(5)純凈的溴苯是無色油狀的液體，這個(gè)裝置制得的溴苯呈紅棕色，原因是里面混有______________，將三頸燒瓶?jī)?nèi)反應(yīng)后的液體依次進(jìn)行下列實(shí)驗(yàn)操作就可得到較純凈的溴苯。①用蒸餾水洗滌，振蕩，分液；②用__________洗滌，振蕩，分液；③蒸餾。
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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：
【題目】X、Y、Z都是金屬，把X浸入Z的硝酸鹽溶液中，X的表面有Z析出，X和Y組成原電池時(shí)，Y為電池的負(fù)極。則X、Y、Z三種金屬的活動(dòng)性順序?yàn)?/span>
A. X>Y>Z B. X>Z>Y
C. Y>X>Z D. Y>Z>X
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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：
【題目】砷化鎵（GaAs）是優(yōu)良的半導(dǎo)體材料，可用于制作微型激光器或太陽(yáng)能電池的材料等�；卮鹣铝袉栴}：
（1）寫出基態(tài)As原子的核外電子排布式________________________。
（2）根據(jù)元素周期律，原子半徑Ga_____________As，第一電離能Ga____________As。（填“大于”或“小于”）
（3）AsCl3分子的立體構(gòu)型為____________________，其中As的雜化軌道類型為_________。
（4）GaF3的熔點(diǎn)高于1000℃，GaCl3的熔點(diǎn)為77.9℃，其原因是_____________________。
（5）GaAs的熔點(diǎn)為1238℃，密度為ρg·cm-3，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。該晶體的類型為________________,Ga與As以________鍵鍵合。Ga和As的摩爾質(zhì)量分別為MGa g·mol-1和MAs g·mol-1，原子半徑分別為rGa pm和rAs pm，阿伏伽德羅常數(shù)值為NA，則GaAs晶胞中原子的體積占晶胞體積的百分率為____________________。
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