【題目】下列說(shuō)法不符合ⅦA族元素性質(zhì)特征的是
A.易形成－1價(jià)離子B.從上到下非金屬性逐漸減弱
C.從上到下原子半徑逐漸減小D.從上到下氫化物的穩(wěn)定性依次減弱
名師指導(dǎo)期末沖刺卷系列答案
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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：
【題目】A、B、C為短周期元素，在周期表中所處的位置如圖所示。
A、C兩元素的原子核外電子數(shù)之和等于B原子的質(zhì)子數(shù)。B原子核內(nèi)質(zhì)子數(shù)和中子數(shù)相等。
（1）寫出A、B、C三元素名稱： 、 、 。
（2）C在元素周期表中的位置是
（3）B的原子結(jié)構(gòu)示意圖為 ， C的氫化物與B的氫化物的穩(wěn)定性強(qiáng)弱順序?yàn)?/span>> (填化學(xué)式)。
（4）比較A、C的原子半徑：A (填“>”或“<”)C，寫出A的氣態(tài)氫化物與A的最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)水化物反應(yīng)的化學(xué)方程式： 。
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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：
【題目】下列說(shuō)法正確的是 ( )
A．物質(zhì)的量可理解為物質(zhì)的質(zhì)量
B．物質(zhì)的量就是物質(zhì)的粒子數(shù)目
C．物質(zhì)的量是度量物質(zhì)所含微觀粒子多少的一個(gè)物理量
D．物質(zhì)的量的單位——摩爾，只適用于分子、原子和離子
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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：
【題目】有關(guān)淀粉和纖維素的說(shuō)法中，正確的是
A. 二者互為同系物B. 二者都是多糖C. 淀粉能水解，纖維素不能水解D. 二者互為同分異構(gòu)體
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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：
【題目】如圖是產(chǎn)生和收集氣體的實(shí)驗(yàn)裝置，該裝置最適合于（ ）
A.用濃硝酸和Cu反應(yīng)制取NO2
B.用濃鹽酸和MnO2反應(yīng)制取Cl2
C.用NH4Cl和Ca(OH)2反應(yīng)制取NH3
D.用H2O2溶液和MnO2反應(yīng)制取O2
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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：
【題目】已知晶體硼的基本結(jié)構(gòu)單元是由硼原子組成的正二十面體(如圖所示)。其中有二十個(gè)等邊三角形的面和一定數(shù)目的頂點(diǎn)，每個(gè)頂點(diǎn)各有一個(gè)硼原子，則這個(gè)基本結(jié)構(gòu)單元由個(gè)硼原子構(gòu)成，共含有個(gè)B—B鍵。
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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：
【題目】下列有關(guān)儀器用途的說(shuō)法正確的是 ( )
A. 試管、燒杯均可用于給液體、固體加熱
B. 使食鹽水中NaCl結(jié)晶析出時(shí)，用到的儀器有坩堝、酒精燈、玻璃棒、泥三角
C. 區(qū)別NaCl、Na2SO4時(shí)常用到膠頭滴管、試管
D. 漏斗不可用于過(guò)濾溶液
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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：
【題目】已知A、B、C、D、E都是周期表中前四周期的元素,且原子序數(shù)依次增大,其中A原子核外有三個(gè)未成對(duì)電子;A與B可形成離子化合物B3A2;C元素是地殼中含量最高的金屬元素;D原子核外的M層中有兩對(duì)成對(duì)電子;E原子核外最外層只有1個(gè)電子,其余各層電子均充滿。請(qǐng)根據(jù)以上信息,回答下列問(wèn)題(答題時(shí),A、B、C、D、E用所對(duì)應(yīng)的元素符號(hào)表示):
（1）比E核外電子數(shù)少5的元素的原子核外電子排布式是,A、B、C、D的第一電離能由小到大的順序?yàn)?/span>。
（2）B的氯化物的熔點(diǎn)遠(yuǎn)高于C的氯化物的熔點(diǎn),理由是。
（3）A的氫化物屬于(填“極性”或“非極性”)分子,D的低價(jià)氧化物分子的空間構(gòu)型是。
（4）A、E形成的某種化合物的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,則其化學(xué)式為(每個(gè)球均表示1個(gè)原子)。
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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：
【題目】硅是帶來(lái)人類文明的重要元素之一，從傳統(tǒng)材料到信息材料的發(fā)展過(guò)程中創(chuàng)造了一個(gè)有一個(gè)奇跡．
（1）新型陶瓷Si3N4的熔點(diǎn)高、硬度大、化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定．工業(yè)上可以采用化學(xué)氣相沉積法，在H2的保護(hù)下，使SiCl4與N2反應(yīng)生成Si3N4沉積在石墨表面，寫出該反應(yīng)的化學(xué)方程式 ．
（2）一種用工業(yè)硅（含少量鉀、鈉、鐵、銅的氧化物），已知硅的熔點(diǎn)是1420℃，高溫下氧氣及水蒸氣能明顯腐蝕氮化硅．一種合成氮化硅的工藝主要流程如圖： 
①凈化N2和H2時(shí)，銅屑的作用是：；硅膠的作用是 ．
②在氮化爐中3SiO2（s）+2N2（g）═Si3N4（s）△H=﹣727.5kJ/mol，開(kāi)始時(shí)為什么要嚴(yán)格控制氮?dú)獾牧魉僖钥刂茰囟?/span>；體系中要通入適量的氫氣是為了 ．
③X可能是（選填：“鹽酸”、“硝酸”、“硫酸”、“氫氟酸”）．
（3）工業(yè)上可以通過(guò)如圖所示的流程制取純硅：
①整個(gè)制備過(guò)程必須嚴(yán)格控制無(wú)水無(wú)氧．SiHCl3遇水劇烈反應(yīng)，寫出該反應(yīng)的化學(xué)方程式 ．
②假設(shè)每一輪次制備1mol純硅，且生產(chǎn)過(guò)程中硅元素沒(méi)有損失，反應(yīng)Ⅰ中HCl的利用率為90%，反應(yīng)Ⅱ中H2的利用率為93.75%．則在第二輪次的生產(chǎn)中，補(bǔ)充投入HCl和H2的物質(zhì)的量之比是 ． 
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