Question

鎵(Ga)、鍺( Ge)、砷(As)、硒(Se)均為第四周期的元素，它們在高科技尖端科學特別是信息領域有著廣泛的用途。已知砷化鎵的晶胞結構如圖。試回答下列問題：

（1）下列說法不正確的是（選填序號）    。

A．砷化鎵晶胞結構與NaCl相同

B．第一電離能：Se >As> Ge> Ga

C．鎵、鍺、砷、硒都屬于p區元素

D．半導體GaP、SiC與砷化鎵為等電子體

（2）砷化鎵是將(CH₃)₃Ga和AsH₃反應制備得到，該反應在700℃進行，反應的方程式為       ，AsH₃空間形狀為                 。  
（3）Ge的核外電子排布式為              ，H₂ Se中硒原子的雜化方式為            。
（4）AsH₃沸點比NH₃低，其原因是：             。

Answer 1

（1）AB    （2）(CH₃)₃Ga +AsH₃  GaAs+ 3CH₄   三角錐 
（3）1s²p⁶2s²2p⁶3s²3p⁶3d¹⁰4s²4p²  sp­³ （4）NH₃分子間存在氫鍵

試題分析：（1）A、NaCl晶胞中配位數是6，該晶胞中配位數是4，故晶胞結構不同，錯誤；B、第ⅥA族元素最外層電子排布為ns²np³，為半滿的穩定結構，第一電離能大于相鄰的同周期元素，錯誤；D、原子數相同，最外層電子總數相同，故為等電子體，正確。（2）AsH₃為sp3雜化，有一對孤電子對，故為三角錐型；（4）NH₃分子間存在氫鍵，溶沸點高。