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（2011?海淀區(qū)模擬）如圖所示裝置可用來分析氣體原子的組成．首先使待研究氣體進(jìn)入電離室A，在此氣體被電離成等離子體（待研究氣體的等離子體由含有一價(jià)正離子和電荷量為e的電子組成，整體顯電性）．這些等離子體（統(tǒng)稱“帶電粒子”）從電離室下端狹縫S₁飄出（忽略飄出的速度），經(jīng)兩極板間電壓為U的加速電場后（忽略這些帶電粒子被加速的時(shí)間），從狹縫S₂沿垂直磁場方向進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的有界勻強(qiáng)磁場，在磁場的上、下邊界處分別裝有水平底片E和F．當(dāng)雙刀雙擲開關(guān)分別擲向1、2和3、4時(shí)，發(fā)現(xiàn)從電離室狹縫S₁飄出的帶電粒子分別打在E和F上的P、Q點(diǎn)．已知狹縫S₂與水平底片E上P點(diǎn)之間的距離d₁=2.0cm，到水平底片F(xiàn)上Q點(diǎn)的水平距離d₂=6.4cm，磁場區(qū)域?qū)挾萪=30cm．空氣阻力、帶電粒子所受重力以及帶電粒子之間的相互作用均可忽略不計(jì)．
（1）試分析打在P點(diǎn)的帶電粒子的帶電性質(zhì)，并寫出該帶電粒子質(zhì)量的表達(dá)式；（要求用題中的字母表示）
（2）試確定打在Q點(diǎn)的帶電粒子的質(zhì)量和打在P點(diǎn)的帶電粒子的質(zhì)量之比；（結(jié)果保留兩位有效數(shù)字）
（3）若P點(diǎn)是底片E上刻度尺的右端點(diǎn)，而實(shí)驗(yàn)中帶電粒子總是打到P點(diǎn)右側(cè)，從而導(dǎo)致不便于測量帶電粒子擊中底片位置到狹縫S₂的距離，應(yīng)如何調(diào)整可使帶電粒子能打在P點(diǎn)左側(cè)的位置．

如圖所示，虛線a、b、c表示O處點(diǎn)電荷的電場中的三個(gè)不同的等勢面，設(shè)兩相鄰等勢面的間距相等，一電子射入電場后（只受電場力作用）的運(yùn)動(dòng)軌跡如圖中實(shí)線所示，其中1、2、3、4表示運(yùn)動(dòng)軌跡與等勢面的交點(diǎn)，由此可以判定（　　）

如圖所示，虛線a、b、c表示O處點(diǎn)電荷的電場中的三個(gè)不同的等勢面，設(shè)兩相鄰等勢面的間距相等，一電子射入電場后（只受電場力作用）的運(yùn)動(dòng)軌跡如圖中實(shí)線所示，其中1、2、3、4表示運(yùn)動(dòng)軌跡與等勢面的交點(diǎn)，由此可以判定（　　）