Question

【題目】圖為真空中兩個(gè)點(diǎn)電荷所產(chǎn)生電場(chǎng)的電場(chǎng)線分布圖,P、Q是電場(chǎng)中的兩點(diǎn)。下列說法中正確的是

A. P點(diǎn)電勢(shì)低于Q點(diǎn)電勢(shì)

B. P點(diǎn)電場(chǎng)強(qiáng)度小于Q點(diǎn)電場(chǎng)強(qiáng)度

C. 某檢驗(yàn)電荷在P點(diǎn)電勢(shì)能一定高于在Q點(diǎn)電勢(shì)能

D. 某檢驗(yàn)電荷在P點(diǎn)所受電場(chǎng)力一定大于在Q點(diǎn)所受電場(chǎng)力

Answer 1

【答案】D

【解析】

電場(chǎng)線的疏密表示電場(chǎng)強(qiáng)度的相對(duì)大小，電場(chǎng)線越密，電場(chǎng)強(qiáng)度越大．同一點(diǎn)電荷在電場(chǎng)強(qiáng)度越大的地方受到的電場(chǎng)力越大；利用沿電場(chǎng)線方向電勢(shì)越來越低和電勢(shì)能公式判斷即可．

沿電場(chǎng)線方向電勢(shì)越來越低，所以P點(diǎn)的電勢(shì)高于Q點(diǎn)的電勢(shì)，由電勢(shì)能公式Ep=qφ可知，電勢(shì)能取決于電荷與電勢(shì)，所以檢驗(yàn)電荷在P的電勢(shì)能不一定比Q點(diǎn)的電勢(shì)能大。故AC錯(cuò)誤；由圖看出，P點(diǎn)處電場(chǎng)線比Q點(diǎn)處電場(chǎng)線密，則P點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)比Q點(diǎn)的大，所以檢驗(yàn)電荷在P點(diǎn)所受的電場(chǎng)力一定比在Q點(diǎn)所受的電場(chǎng)力大；選項(xiàng)B錯(cuò)誤，D正確；故選D。