Question

【題目】制作半導(dǎo)體時(shí)，需向單晶硅或其他晶體中摻入雜質(zhì)。單晶硅內(nèi)的原子是規(guī)則排列的，在兩層原子間有一定間隙，形成溝道，如圖所示。假設(shè)注入的雜質(zhì)是硼的正離子，若硼離子能沿溝道射入晶體內(nèi)，就叫做溝道離子。射入的離子不可能與溝道的縱軸（圖中虛線）完全平行，若偏離縱軸一定的角度，如圖那樣進(jìn)入溝道時(shí)向上偏轉(zhuǎn)，則離子將受原子層原子核向下的斥力。一旦離子失去向上運(yùn)動(dòng)的速度，便在斥力的作用下朝反方向偏離。同樣道理，當(dāng)離子接近下面原子核時(shí)，又在斥力的作用下向上偏轉(zhuǎn)。于是，入射離子在溝道內(nèi)沿曲線前進(jìn)。對(duì)于一定能量的離子，存在一個(gè)臨界的入射，一旦離子的入射角大于，入射離子將沖出溝道，不能成為溝道離子。下面說(shuō)法正確的是( )

A. 入射角一定時(shí)，入射離子的動(dòng)能越大，越容易成為溝道離子

B. 入射離子的動(dòng)能一定時(shí)，入射角越小，溝道離子在溝道中運(yùn)動(dòng)時(shí)間越長(zhǎng)

C. 入射離子在接近原子層時(shí)，原子核的斥力做負(fù)功，電勢(shì)能增大

D. 入射離子在趨于兩個(gè)原子層間的縱軸時(shí)動(dòng)能和電勢(shì)能均減小

Answer 1

【答案】C

【解析】A．入射角一定時(shí)，入射離子的動(dòng)能越大，越容易沖出溝道，不能成為溝道離子，故A錯(cuò)誤；

B．沿縱軸方向離子做勻速直線運(yùn)動(dòng)。入射離子的動(dòng)能一定時(shí)，入射角越小，沿縱軸方向的速度越大，溝道離子在溝道中運(yùn)動(dòng)時(shí)間越短，故B錯(cuò)誤；

C．入射離子在靠近原子層的過(guò)程中，原子核的斥力做負(fù)功，電勢(shì)能增大，故C正確；

D．入射離子在趨于兩個(gè)原子層間的縱軸的過(guò)程中，原子核的斥力做正功，動(dòng)能增大，電勢(shì)能減小，故D錯(cuò)誤。

故選：C