(1)請分別指出勻強電場和勻強磁場的方向;
(2)求出離子經(jīng)孔S3進入磁場時的速率;
(3)求出D位置到孔S3的距離.
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| 2gR |
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| 2μmg |
| q |
| A、適當選取初速度v0,小物塊有可能靜止在電場區(qū)內(nèi) | ||
| B、無論怎樣選擇初速度v0,小物塊都不可能靜止在電場區(qū)內(nèi) | ||
C、要使小物塊穿過電場區(qū)域,初速度v0的大小應大于2
| ||
| D、若小物塊能穿過電場區(qū)域,小物塊在穿過電場區(qū)的過程中,機械能減少3μmgL |
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絕緣水平面上固定一正點電荷Q,另一質(zhì)量為m、電荷量為—q(q >0)的滑塊(可看作點電荷)從a點以初速皮
沿水平面向Q運動,到達b點時速度為 零.已知a、b間距離為s,滑塊與水平面間的動摩擦因數(shù)為
,重力加速度為g.以下判斷正確的是 ( )
A.滑塊在運動過程中所受Q的庫侖力有可能大于滑動摩擦力
B.滑塊在運動過程的中間時刻, 速度的大小小于
C.此過程中產(chǎn)生的內(nèi)能為![]()
D.Q產(chǎn)生的電場中,a、b兩點間的電勢差為![]()
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