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【題目】下列有關說法正確的是

A.萃取操作可在普通漏斗中完成

B.濃燒堿液沾到皮膚上應立即用稀鹽酸沖洗

C.聞未知液體或氣體的氣味時，應該將試劑瓶口距離口鼻遠一些，用手輕輕扇動

D.用容量瓶配制好一定濃度的某溶液后，將溶液保存在容量瓶中并貼上標簽

【答案】C

【解析】

A、萃取操作可在分液漏斗中完成，故A錯誤；

B、鹽酸和氫氧化鈉都有腐蝕性，濃燒堿液沾到皮膚上應立即用水沖洗，再涂上稀硼酸溶液，故B錯誤；

C、為防止中毒，聞未知液體或氣體的氣味時，應該將試劑瓶口距離口鼻遠一些，用手輕輕扇動，故C正確；

D、容量瓶不能長時間貯存溶液，應將配制好的溶液保存在細口瓶中并貼上標簽，故D錯誤；

答案選C。

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已知:RCNRCOOHRCOClRCOOR'

請按要求回答下列問題:

（1）已知A標準狀況下的密度為1.25g/L,則A的結構簡式為_______；其分子共平面的原子數目為____________。

（2）B的官能團名稱為________。反應①的反應類型為_______。F的名稱為_______ 。

（3）P是比A相對分子質量大28的同系物，P的所有可能的結構(含p)數目為______。寫出P的屬于環烴的同分異構體的結構簡式: ______ 。

（4）寫出反應②的化學方程式: ______。

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（3）反應：2FeCl3＋2KI=2FeCl2＋2KCl＋I2，其中_____元素化合價升高，則該元素被_______，_____元素化合價降低；__________做還原劑，_______發生還原反應。

（4）鈉在空氣中燃燒的化學方程式：________________________________，1mol鈉完全燃燒轉移電子的個數為____________。

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A. Na2HAsO4溶液顯堿性

B. H3AsO4溶液pKa2為2.2

C. m點對應溶液中由水電離出的c(OH－)為10－2.5mol·L－1

D. n點對應溶液中離子濃度關系為：c(Na+)＞c(HAsO42－)=c(H2AsO4－)＞c(H+)=c(OH－)

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【題目】鍺是一種重要的半導體材料。工業上用精硫鍺礦（主要成分為GeS2，雜質不反應）制取Ge，其工藝流程如圖所示：

回答下列問題：

（1）開始將精硫鍺礦粉碎的目的是______。

（2）高溫焙燒精硫鍺礦的化學方程式為______。

（3）熱還原真空揮發爐內反應的化學方程式為______。

（4）在沉鍺過程中，當溫度為90℃，pH為14時，加料量（CaCl2/Ge質量比）對沉鍺的影響如表所示，選擇最佳加料量為______（填“10-15”“15-20”或“20-25”），理由是______。

編號	加料量（CaCl2/Ge）	母液體積（mL）	過濾后液含鍺（mg/L）	過濾后液 pH	鍺沉淀率（%）
1	10	500	76	8	93.67
2	15	500	20	8	98.15
3	20	500	2	11	99.78
4	25	500	1.5	12	99.85