【題目】關于如圖所示的原電池，下列說法正確的是（ ） 
A.負極發生還原反應
B.電子由鋅片通過導線流向銅片
C.該裝置能將電能轉化為化學能
D.銅片上發生的反應為Cu2++2e﹣═Cu
【答案】B
【解析】解：A、鋅、銅和稀硫酸組成的原電池中，鋅作負極，負極上鋅失電子發生氧化反應，故A錯誤； B、鋅、銅和稀硫酸組成的原電池中，鋅作負極，銅作正極，電子從負極沿導線流向正極，即電子由鋅片通過導線流向銅片，故B正確；
C、Zn、Cu、硫酸構成原電池，實現了化學能轉化為電能，故C錯誤；
D、鋅、銅和稀硫酸組成的原電池中，銅作正極，正極上氫離子得電子發生還原反應為2H++2e﹣→H2↑，溶液中沒有銅離子，故D錯誤；
故選B．
鋅、銅和稀硫酸組成的原電池中，鋅作負極，負極上鋅失電子發生氧化反應；銅作正極，正極上氫離子得電子發生還原反應；電子從負極沿導線流向正極；原電池中化學能轉化為電能．
科目：高中化學 來源： 題型：
【題目】利用硫鐵礦（主要成分FeS2）生產硫酸和綠礬（FeSO47H2O）的工業流程示意圖如圖： 
（1）沸騰爐中，硫鐵礦進行粉碎處理的目的是 ．
（2）接觸室中，發生的主要反應是SO2與O2的反應，其化學方程式是 ．
（3）反應釜中，燒渣經過反應轉化為溶液I和固體．
①燒渣中的FeS在反應中做劑（填“氧化”或“還原”）．
②溶液I中所含溶質的化學式是 ．
（4）操作a的主要步驟是：加熱濃縮、、過濾洗滌．
（5）流程中，固體X可以選擇硫鐵礦（FeS2）或；當固體X為硫鐵礦（FeS2）時，將溶液I與固體X發生反應的離子方程式補充完整：
FeS2++═Fe2++SO42﹣+ ．
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科目：高中化學 來源： 題型：
【題目】氮的氧化物（NOx）是大氣污染物之一，工業上在一定溫度和催化劑條件下用NH3將NOx還原生成N2 ． 某同學在實驗室中對NH3與NO2反應進行了探究．回答下列問題：
（1）氨氣的制備
①氨氣的發生裝置可以選擇上圖中的 ， 反應的化學方程式為 ．
②欲收集一瓶干燥的氨氣，選擇上圖中的裝置，其連接順序為：發生裝置→（按氣流方向，用小寫字母表示）．
（2）氨氣與二氧化氮的反應
將上述收集到的NH3充入注射器X中，硬質玻璃管Y中加入少量催化劑，充入NO2（兩端用夾子K1、K2夾好）．在一定溫度下按圖示裝置進行實驗．
操作步驟 | 實驗現象 | 解釋原因 |
打開K1 ， 推動注射器活塞，使X中的氣體緩慢充入Y管中 | ①Y管中 | ②反應的化學方程式 |
將注射器活塞退回原處并固定，待裝置恢復到室溫 | Y管中有少量水珠 | 生成的氣態水凝聚 |
打開K2 | ③ | ④ |
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【題目】N2和 H2在催化劑表面合成氨的微觀歷程及能量變化的示意圖如下，用 
、 
、 
分別表示N2、H2、NH3 ， 下列說法正確的是（ ） 
A.使用催化劑，合成氨反應放出的熱量減少
B.在該過程中，N2、H2斷鍵形成N原子和H原子
C.在該過程中，N原子和H原子形成了含有非極性鍵的NH3
D.合成氨反應中，反應物斷鍵吸收能量大于生成物形成新鍵釋放的能量
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【題目】N、O、Si、S、CI是常見的五種非金屬元素．
（1）將稻殼灰（含SiO260%、C38%，其它Na、Mg、Fe等氧化物2%）加入NaOH溶液中，在160℃下充分反應后，通過（填寫操作名稱）可制得水玻璃．主要反應的化學方程式是 ．
（2）實驗室制取氯氣的化學方程式是 ． 將生成的氯氣通入冷的消石灰中即制得以（填寫化學式）為有效成分的漂白粉．
（3）SO2、CI2均可用于漂白，但將SO2、Cl2等體積混合后漂白能力減弱甚至消失．用化學方程式解釋原因 ． 將SO2氣體通入酸性KMnO4溶液中，溶液褪色，SO2表現出性．
（4）SO2通入不含O2的BaCl2溶液中，觀察到的現象是；SO2通入不含O2的Ba（NO3）2溶液中，生成BaSO4沉淀．產生 
的離子方程式是 ．
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【題目】下列熱方程式書寫正確的是（ ）
A.2SO2+O2═2H2O△H=﹣196.6 kJ/mol
B.2H2（g）+O2（g）═2H2O（l）△H=﹣517.6 kJ/mol
C.H2（g）+ 
O2（g）═H2O（l）△H=﹣285.8 kJ
D.C（s）+O2（g）═CO2（g）△H=+393.5 kJ/mol
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科目：高中化學 來源： 題型：
【題目】下列說法不正確的是
①硫是一種淡黃色的能溶于水的晶體②硫的化合物常存在于火山噴出的氣體中和礦泉水里 ③硫在空氣中燃燒的產物是二氧化硫④硫在純氧中燃燒的產物是三氧化硫
A. ①② B. ②③ C. ③④ D. ①④
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【題目】能證明SO2有漂白性的是
A. 酸性高錳酸鉀溶液中通入SO2氣體后紫色消失
B. 顯紅色的酚酞溶液中通入SO2氣體后紅色消失
C. 品紅溶液中通入SO2氣體后紅色消失
D. 溴水中通入SO2氣體后橙色消失
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【題目】【化學-選修3：物質結構與性質】砷化鎵（GaAs）是優良的半導體材料，可用于制作微型激光器或太陽能電池的材料等．回答下列問題：
（1）寫出基態As原子的核外電子排布式 ．
（2）根據元素周期律，原子半徑GaAs，第一電離能GaAs．（填“大于”或“小于”）
（3）AsCl3分子的立體構型為 ， 其中As的雜化軌道類型為 ．
（4）GaF3的熔點高于1000℃，GaCl3的熔點為77.9℃，其原因是 ．
（5）GaAs的熔點為1238℃，密度為ρ gcm﹣3 ， 其晶胞結構如圖所示．
該晶體的類型為 ， Ga與As以鍵鍵合．Ga和As的摩爾質量分別為MGa gmol﹣1和MAs gmol﹣1 ， 原子半徑分別為rGa pm和rAs pm，阿伏伽德羅常數值為NA ， 則GaAs晶胞中原子的體積占晶胞體積的百分率為 ．
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