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將光敏電阻R、定值電阻R₀、電流表、電壓表、開關和電源連接成如圖所示電路，光敏電阻的阻值隨光照強度的增大而減小。閉合開關，逐漸增大光敏電阻的光照強度，觀察電表示數的變化情況應該是（）

A．A表示數變大，V表示數變小	B．A表示數變小，V表示數變大
C．A表和V表示數均變小	D．A表和V表示數均變大

解析試題分析：據圖可知，兩電阻串聯，電壓表測量定值電阻兩端的電壓，當增大光敏電阻的光照強度時，光敏電阻的阻值變小，所以串聯電路的總電阻變小，根據歐姆定律I=U/R可知，電路的電流變大，即電流表示數變小所以B、C錯誤；
根據U₂=IR₂可知，當電流變大時，R₂兩端的電壓變大，即電壓表示數變大，所以A錯誤，D正確；
所以選擇D。
考點：串聯電路的電流、電壓、電阻規律歐姆定律及其應用

練習冊系列答案

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科目：初中物理 來源： 題型：作圖題

根據電路圖將下圖中的實物連成電路.

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科目：初中物理 來源： 題型：綜合題

（10分）閱讀短文，回答問題：
巨磁電阻效應
1988年阿爾貝·費爾和彼得·格林貝格爾發現，在鐵、鉻相間的三層復合膜電阻中，微弱的磁場可以導致電阻大小的急劇變化，這種現象被命名為“巨磁電阻效應”．
更多的實驗發現，并非任意兩種不同種金屬相間的三層膜都具有“巨磁電阻效應”．組成三層膜的兩種金屬中，有一種是鐵、鈷、鎳這三種容易被磁化的金屬中的一種，另一種是不易被磁化的其他金屬，才可能產生“巨磁電阻效應”．進一步研究表明，“巨磁電阻效應”只發生在膜層的厚度為特定值時．用R₀表示未加磁場時的電阻，R表示加入磁場后的電阻，科學家測得鐵、鉻組成的復合膜R與R₀之比與膜層厚度d（三層膜厚度均相同）的關系如乙圖所示．1994年IBM公司根據“巨磁電阻效應”原理，研制出“新型讀出磁頭”，將磁場對復合膜阻值的影響轉換成電流的變化來讀取信息．

（1）以下兩種金屬組成的三層復合膜可能發生“巨磁電阻效應”的是．

A．銅、銀

B．鐵、銅

C．銅、鋁

D．鐵、鎳

（2）對鐵、鉻組成的復合膜，當膜層厚度是1.7nm時，這種復合膜電阻      （選填“具
有”或“不具有”）“巨磁電阻效應”．
（3）“新型讀出磁頭”可將微弱的        信息轉化為電信息．
（4）鐵、鉻組成的復合膜，發生“巨磁電阻效應”時，其電阻R比未加磁場時的電阻R₀         （選填
“大”或“小”）得多．
（5）丙圖是硬盤某區域磁記錄的分布情況，其中1表示有磁區域，0表示無磁區域．將“新型讀出磁頭”組成如圖所示電路，當磁頭從左向右勻速經過該區域過程中，電流表讀數變化情況應是丁圖中的       ．