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（15分）單晶硅是信息產業中重要的基礎材料。通常用碳在高溫下還原二氧化硅制得粗硅（含鐵、鋁、硫、磷等雜質），粗硅與氯氣反應生成四氯化硅（反應溫度450-500°C），四氯化硅經提純后用氫氣還原可得高純硅。以下是實驗室制備四氯化硅的裝置示意圖。

相關信息如下：

a.四氯化硅遇水極易水解；

b.硼、鋁、鐵、磷在高溫下均能與氯氣直接反應生成相應的氯化物；

c.有關物質的物理常數見下表：

請回答下列問題：www.ks5.u.com

（1）寫出裝置A中發生反應的離子方程式                   。

（2）裝置A中g管的作用是               ；裝置C中的試劑是          ；裝置E中的h瓶需要冷卻理由是                  。

（3）裝置E中h瓶收集到的粗產物可通過精餾（類似多次蒸餾）得到高純度四氯化硅，精餾后的殘留物中，除鐵元素外可能還含有的雜質元素是              （填寫元素符號）。

（4）為了分析殘留物中鐵元素的含量，先將殘留物預處理，是鐵元素還原成Fe²⁺ ，再用KMnO₄標準溶液在酸性條件下進行氧化還原滴定，反應的離子方程式是：

①滴定前是否要滴加指示劑？            （填“是”或“否”），請說明理由           。

②某同學稱取5.000g殘留物，預處理后在容量瓶中配制成100ml溶液，移取25.00ml，試樣溶液，用1.000×10^-2mol? L^-1KMnO₄標準溶液滴定。達到滴定終點時，消耗標準溶液20.00ml,則殘留物中鐵元素的質量分數是            。

（15分）單晶硅是信息產業中重要的基礎材料。通常用碳在高溫下還原二氧化硅制得粗硅（含鐵、鋁、硫、磷等雜質），粗硅與氯氣反應生成四氯化硅（反應溫度450-500°C），四氯化硅經提純后用氫氣還原可得高純硅。以下是實驗室制備四氯化硅的裝置示意圖。

相關信息如下：

a.四氯化硅遇水極易水解；

b.硼、鋁、鐵、磷在高溫下均能與氯氣直接反應生成相應的氯化物；

c.有關物質的物理常數見下表：

請回答下列問題：

（1）寫出裝置A中發生反應的離子方程式                   。

（2）裝置A中g管的作用是               ；裝置C中的試劑是          ；裝置E中的h瓶需要冷卻理由是                  。

（3）裝置E中h瓶收集到的粗產物可通過精餾（類似多次蒸餾）得到高純度四氯化硅，精餾后的殘留物中，除鐵元素外可能還含有的雜質元素是              （填寫元素符號）。

（4）為了分析殘留物中鐵元素的含量，先將殘留物預處理，是鐵元素還原成Fe²⁺ ，再用KMnO₄標準溶液在酸性條件下進行氧化還原滴定，反應的離子方程式是：

①滴定前是否要滴加指示劑？            （填“是”或“否”），請說明理由           。

②某同學稱取5.000g殘留物，預處理后在容量瓶中配制成100ml溶液，移取25.00ml，試樣溶液，用1.000×10^-2mol? L^-1KMnO₄標準溶液滴定。達到滴定終點時，消耗標準溶液20.00ml,則殘留物中鐵元素的質量分數是            。

相關信息如下：

a.四氯化硅遇水極易水解；

b.硼、鋁、鐵、磷在高溫下均能與氯氣直接反應生成相應的氯化物；

c.有關物質的物理常數見下表：

請回答下列問題：

(1)寫出裝置A中發生反應的離子方程式____________。

(2)裝置A中g管的作用是____________；裝置C中的試劑是;裝置E中的h瓶需要冷卻的理由是____________________________________。

(3)裝置E中h瓶收集到的粗產物可通過精餾（類似多次蒸餾）得到高純度四氯化硅，精餾后的殘留物中，除鐵元素外可能還含有的雜質元素是____________（填寫元素符號）。

(4)為了分析殘留物中鐵元素的含量，先將殘留物預處理，使鐵元素還原成Fe²⁺,再用KMnO₄標準溶液在酸性條件下進行氧化還原滴定，反應的離子方程式是：5Fe²⁺+MnO^-4+8H⁺====5Fe³⁺+Mn²⁺+4H₂O

①滴定前是否要滴加指示劑？________（填“是”或“否”），請說明理由__________________。

②某同學稱取5.000 g殘留物，經預處理后在容量瓶中配制成100 mL溶液，移取25.00 mL試樣溶液，用1.000×10^-2 mol·L^-1 KMnO₄標準溶液滴定。達到滴定終點時，消耗標準溶液20.00 mL，則殘留物中鐵元素的質量分數是________________。

單晶硅是信息產業中重要的基礎材料。通常用碳在高溫下還原二氧化硅制得粗硅（含鐵、鋁、硫、磷等雜質），粗硅與氯氣反應生成四氯化硅（反應溫度450-500°C），四氯化硅經提純后用氫氣還原可得高純硅。以下是實驗室制備四氯化硅的裝置示意圖。

相關信息如下：

a.四氯化硅遇水極易水解；

b.硼、鋁、鐵、磷在高溫下均能與氯氣直接反應生成相應的氯化物；

c.有關物質的物理常數見下表：

請回答下列問題：www.ks5.u.com

（1）寫出裝置A中發生反應的離子方程式                   。

（2）裝置A中g管的作用是               ；裝置C中的試劑是          ；裝置E中的h瓶需要冷卻理由是                  。

（3）裝置E中h瓶收集到的粗產物可通過精餾（類似多次蒸餾）得到高純度四氯化硅，精餾后的殘留物中，除鐵元素外可能還含有的雜質元素是              （填寫元素符號）。

（4）為了分析殘留物中鐵元素的含量，先將殘留物預處理，是鐵元素還原成Fe²⁺ ，再用KMnO₄標準溶液在酸性條件下進行氧化還原滴定，反應的離子方程式是：

①滴定前是否要滴加指示劑？            （填“是”或“否”），請說明理由           。

②某同學稱取5.000g殘留物，預處理后在容量瓶中配制成100ml溶液，移取25.00ml，試樣溶液，用1.000×10^-2mol· L^-1KMnO₄標準溶液滴定。達到滴定終點時，消耗標準溶液20.00ml,則殘留物中鐵元素的質量分數是            。

單晶硅是信息產業中重要的基礎材料。通常用碳在高溫下還原二氧化硅制得粗硅（含鐵、鋁、硫、磷等雜質），粗硅與氯氣反應生成四氯化硅（反應溫度450-500°C），四氯化硅經提純后用氫氣還原可得高純硅。以下是實驗室制備四氯化硅的裝置示意圖。

相關信息如下：

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b.硼、鋁、鐵、磷在高溫下均能與氯氣直接反應生成相應的氯化物；

c.有關物質的物理常數見下表：

請回答下列問題：

（1）寫出裝置A中發生反應的離子方程式                   。

（2）裝置A中g管的作用是               ；裝置C中的試劑是          ；裝置E中的h瓶需要冷卻理由是                  。

（3）裝置E中h瓶收集到的粗產物可通過精餾（類似多次蒸餾）得到高純度四氯化硅，精餾后的殘留物中，除鐵元素外可能還含有的雜質元素是              （填寫元素符號）。

（4）為了分析殘留物中鐵元素的含量，先將殘留物預處理，是鐵元素還原成Fe²⁺ ，再用KMnO₄標準溶液在酸性條件下進行氧化還原滴定，反應的離子方程式是：

①滴定前是否要滴加指示劑？            （填“是”或“否”），請說明理由           。

②某同學稱取5.000g殘留物，預處理后在容量瓶中配制成100ml溶液，移取25.00ml，試樣溶液，用1.000×10^-2mol· L^-1KMnO₄標準溶液滴定。達到滴定終點時，消耗標準溶液20.00ml,則殘留物中鐵元素的質量分數是            。