題目列表(包括答案和解析)
一勻強(qiáng)磁場，磁場方向垂直紙面，規(guī)定向里的方向?yàn)檎Ｔ诖艌鲋杏幸患?xì)金屬圓環(huán)，線圈平面位于紙面內(nèi)，如圖1所示。現(xiàn)令磁感強(qiáng)度B隨時(shí)間t變化，先按圖2中所示的oa圖線變化，后來又按圖線bc和cd變化， 令E1、E2、E3分別表示這三段變化過程中感應(yīng)電動勢的大小，I1、I2、I3分別表示對應(yīng)的感應(yīng)電流，則（ ）
A．E1＞E2，I1沿逆時(shí)針方向，I2沿順時(shí)針方向
B．E1＜E2，I1沿逆時(shí)針方向，I2沿順時(shí)針方向
C．E1＜E2，I2沿順時(shí)針方向，I3沿逆時(shí)針方向
D．E2 = E3，I2沿順時(shí)針方向，I3沿順時(shí)針方向
一勻強(qiáng)磁場，磁場方向垂直紙面，規(guī)定向里的方向?yàn)檎Ｔ诖艌鲋杏幸患?xì)金屬圓環(huán)，線圈平面位于紙面內(nèi)，如圖所示。現(xiàn)令磁感應(yīng)強(qiáng)度B隨時(shí)間t變化，先按右圖所示的oa圖線變化，后來又按bc和cd變化，令E1、E2、E３分別表示這三段變化過程中感應(yīng)電動勢的大小，I1、I2、I3分別表示對應(yīng)的感應(yīng)電流，則
A．E1＞E2，I1沿逆時(shí)針方向，I2沿順時(shí)針方向?
B．E1＜E2，I1沿逆時(shí)針方向，I2沿順時(shí)針方向?
C．E1＜E2，I2沿順時(shí)針方向，I3沿逆時(shí)針方向?
D．E2=E3，I2沿順時(shí)針方向，I3沿逆時(shí)針方向
一勻強(qiáng)磁場，磁場方向垂直紙面，規(guī)定向里的方向?yàn)檎Ｔ诖艌鲋杏幸患?xì)金屬圓環(huán)，線圈平面位于紙面內(nèi)，如圖1所示。現(xiàn)令磁感強(qiáng)度B隨時(shí)間t變化，先按圖2中所示的oa圖線變化，后來又按圖線bc和cd變化， 令E1、E2、E3分別表示這三段變化過程中感應(yīng)電動勢的大小，I1、I2、I3分別表示對應(yīng)的感應(yīng)電流，則（ ）
| A．E1＞E2，I1沿逆時(shí)針方向，I2沿順時(shí)針方向 |
| B．E1＜E2，I1沿逆時(shí)針方向，I2沿順時(shí)針方向 |
| C．E1＜E2，I2沿順時(shí)針方向，I3沿逆時(shí)針方向 |
| D．E2 = E3，I2沿順時(shí)針方向，I3沿順時(shí)針方向 |
| A．E1＞E2，I1沿逆時(shí)針方向，I2沿順時(shí)針方向 |
| B．E1＜E2，I1沿逆時(shí)針方向，I2沿順時(shí)針方向 |
| C．E1＜E2，I2沿順時(shí)針方向，I3沿逆時(shí)針方向 |
| D．E2 = E3，I2沿順時(shí)針方向，I3沿順時(shí)針方向 |
題號
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
答案
C
B
B
D
C
D
B
A
B
D
D
題號
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
答案
B
D
C
A
B
ABD
C
AC
AD
AB
BD
23．右 ； 
； 半導(dǎo)體材料；
用電器件Z的電流隨電壓變化的規(guī)律是
，其具體的表達(dá)式為
24．解：（1）對系統(tǒng)AB： 
（2）開始時(shí)彈簧形變量為
，由平衡條件：
①
設(shè)當(dāng)A剛離開檔板時(shí)彈簧的形變量為
：由：
可得
②
故C下降的最大距離為：
③
由①～③式可解得
④
（3）由能量守恒定律可知：C下落h過程中，C重力勢能的的減少量等于B的電勢能的增量和彈簧彈性勢能的增量以及系統(tǒng)動能的增量之和
當(dāng)C的質(zhì)量為M時(shí)：
⑤
當(dāng)C的質(zhì)量為2M時(shí)，設(shè)A剛離開擋板時(shí)B的速度為V
⑥
由④～⑥式可解得A剛離開P時(shí)B的速度為：
25．（1）由牛頓第二定律可得，電荷進(jìn)入坐標(biāo)系第1秒內(nèi)在y軸正方向有
第1秒末，對于電荷應(yīng)有沿y軸正方向的速度：
電荷到達(dá)的位置為：
，
由于電荷又經(jīng)1秒后，返回x軸上某一點(diǎn)，在這1秒內(nèi)有：
聯(lián)立以上兩式，將已知值帶入求得：E2=60N/C
（2）電荷返回x軸上某點(diǎn)時(shí)，應(yīng)有
電荷沿y軸負(fù)方向的速度
電荷沿x軸正方向的速度：
電荷的合速度：
此時(shí)電荷到達(dá)的位置為：
由此可得，電荷到達(dá)x軸上（6，0）點(diǎn)后，將做勻速圓周運(yùn)動，經(jīng)一段時(shí)間后返回O點(diǎn)，
根據(jù)電荷在（6，0）點(diǎn)的速度關(guān)系及幾何關(guān)系可得：
解得繞得半徑：
又由：
代入解得勻強(qiáng)磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度：
（3）設(shè)當(dāng)電場變成E2后，電荷經(jīng)時(shí)間t1，沿y軸正方向的速度為零，則有：
解得， 
此段時(shí)間內(nèi)電荷在y軸正方向發(fā)生的位移：
在x軸方向發(fā)生的位移：
此時(shí)電荷的坐標(biāo)為：
然后，電荷從（4，
）點(diǎn)將做類平拋運(yùn)動，在
s時(shí)間內(nèi)返回x軸上的（6，0）點(diǎn)。
最后作勻速圓周運(yùn)動，回到O點(diǎn)。由以上分析結(jié)合（1）（2）問的解答，畫出電荷運(yùn)動
軌跡如圖所示
26．（1）氧氣向左，二氧化碳向右 擴(kuò)散作用
（2）升高（3）曲線如圖 理由：種子吸脹萌發(fā)，呼吸作用加強(qiáng)。
呼吸作用增加，釋放CO2增加，提高光合作用速率
（4）CO2濃度過高抑制了呼吸作用等生理過程，從而影
響了光合作用產(chǎn)物的轉(zhuǎn)動，抑制了光合作用強(qiáng)度。
[或：過高濃度的CO2，使控制氣孔關(guān)閉的基因表達(dá)，導(dǎo)致氣孔關(guān)閉，二氧化碳供應(yīng)減少，光合作用速度降低]
27．解析：此題為遺傳學(xué)題目。（1）此題主要考察遺傳學(xué)兩大定律。
P： AaBB×aaBb
↓
F1：AaBB AaBb aaBB aaBb 即后代基因型有4種。
要想自交產(chǎn)生矮生黃果（aabb），找隱性基因最多的，即aaBb植株自交：
F1： aaBb
↓×
F2： 1aaBB 2aaBb 1aabb
表現(xiàn)型： 矮生紅果 矮生黃果
比例： 3 ： 1
（2）此題考察減數(shù)分裂，此題容易考慮不全而失分。
減數(shù)第一次分裂時(shí)A基因所在的同源染色體不分離，情況有兩種，一種是兩條染色體均進(jìn)入次級卵母細(xì)胞，這樣的話，經(jīng)過正常的減數(shù)第二次分裂得到的雌配子染色體數(shù)目就為12+1=13條；另一種可能是兩天染色體均進(jìn)入第一極體，這樣，次級卵母細(xì)胞進(jìn)行正常的減數(shù)第二次分裂得到的雌配子染色體數(shù)目就為12-1=11條。 因此，得到的雌配子對于A基因來說就有O（表示不含A基因）和AA兩種，與aa產(chǎn)生的雄配子a結(jié)合得到的后代基因型就有a（注意此處是單體而非單倍體）和AAa（此處為三體而非三倍體）兩種，對應(yīng)的株高表現(xiàn)型也就是矮生植株或正常植株。
（3）此題考察基因突變，堿基對的增添、缺失或改變，以及基因的表達(dá)過程。（詳見答案）
（4）此題綜合考察基因工程技術(shù)及實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)的方法，很容易只答一個(gè)方面，即只對矮生植株進(jìn)行過量表達(dá)而忽略對正常植株A基因表達(dá)的抑制作用。對于第二種方法的思路比較簡單，可能想到的同學(xué)出錯(cuò)能比較少。第③個(gè)問題比較簡單，考察基因?qū)π誀畹目刂啤?/p>
答案： （1）4 aaBb 矮生紅果：矮生黃果=3：1 （2）13或11 正常或矮生 （3）Y Y突變體的蛋白質(zhì)中氨基酸的改變比X突變體可能更多（或：X突變體的蛋白質(zhì)可能只有一個(gè)氨基酸發(fā)生改變，Y突變體的蛋白質(zhì)氨基酸序列可能從第一個(gè)氨基酸后都改變）。
（4）①答案一： b. 通過轉(zhuǎn)基因技術(shù)，一是抑制正常植株A基因的表達(dá)，二是使A基因在矮生植株過量表達(dá)。 c. 測定兩個(gè)實(shí)驗(yàn)組植株的赤霉素含量和植株。
答案二： b. 通過轉(zhuǎn)基因技術(shù)，抑制正常植株A基因的表達(dá)，測定其赤霉素含量和株高。
c. 通過轉(zhuǎn)基因技術(shù)，使A基因在矮生植株過量表達(dá)，測定其赤霉素含量和株高。
（答案二中b和c次序不做要求）
②與對照比較，正常植株在A基因表達(dá)被抑制后，赤霉素含量降低，株高降低；與對照比較，A基因在矮生植株中過量表達(dá)后，該植株赤霉素含量增加，株高增加。
③基因通過控制酶的合成來控制代謝途徑，進(jìn)而控制生物性狀。
28．
；
；
；
溶液），若產(chǎn)生白色沉淀，則沉淀沒有洗滌干凈；若無白色沉淀，則沉淀已洗滌干凈。
H2CO3+OH-；大于；
（2分） ② sp3和sp2（2分）
（2）
得： 
得：
1.4或
,由題意及光路圖得：△s=2dtan60°－2dsin30°
光在透明介質(zhì)里的路程
+E2=－0.85eV 可見n=4 