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（12分） “物質結構與性質”

（1）第ⅢA、ⅤA元素組成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半導體材料，其晶體結構與單晶硅相似。Ga原子的電子排布式為               。在GaN晶體中，與同一個Ga原子相連的N原子構成的空間構型為            。在四大晶體類型中，GaN屬于             晶體。

（2）銅、鐵元素能形成多種配合物。微粒間形成配位鍵的條件是：一方是能夠提供孤電子對的原子或離子，另一方是具有               的原子或離子

（3）CuCl₂溶液與乙二胺(H₂N-CH₂-CH₂-NH₂)可形成配離子：請回答下列問題：

① H、N、O三種元素的電負性由大到小的順序是          。

②SO₂分子的空間構型為           。與SnCl₄互為等電子體的一種離子的化學式為           。

③乙二胺分子中氮原子軌道的雜化類型為          。乙二胺和三甲胺[N(CH₃)₃]均屬于胺，但乙二胺比三甲胺的沸點高的多，原因是                             。

④⑶中所形成的配離子中含有的化學鍵類型有              。   

a．配位鍵     b．極性鍵    c．離子鍵    d．非極性鍵

⑤CuCl的晶胞結構如右圖所示，其中Cl原子的配位數為               。

[物質結構與性質]

元素X 位于第四周期，其基態原子的內層軌道全部排滿電子，且最外層電子數為2。元素Y基態原子的3p 軌道上有4個電子。元素Z 的原子最外層電子數是其內層的3倍。

（1）X與Y所形成化合物晶體的晶胞如右圖所示。

①在1個晶胞中，X離子的數目為     。

②該化合物的化學式為         。

（2）在Y的氫化物(H₂Y)分子中，Y原子軌道的雜化類型是       。

（3）Z的氫化物(H₂Z)在乙醇中的溶解度大于H₂Y，其原因是              。

（4）Y 與Z 可形成YZ₄^2－

①YZ₄^2－的空間構型為          (用文字描述)。

②寫出一種與YZ₄^2－互為等電子體的分子的化學式：         。

（5）X的氯化物與氨水反應可形成配合物[X(NH₃)₄]Cl₂，1mol該配合物中含有σ鍵的數目為   。

（12分） “物質結構與性質”

（1）第ⅢA、ⅤA元素組成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半導體材料，其晶體結構與單晶硅相似。Ga原子的電子排布式為               。在GaN晶體中，與同一個Ga原子相連的N原子構成的空間構型為            。在四大晶體類型中，GaN屬于             晶體。

（2）銅、鐵元素能形成多種配合物。微粒間形成配位鍵的條件是：一方是能夠提供孤電子對的原子或離子，另一方是具有               的原子或離子

（3）CuCl₂溶液與乙二胺(H₂N-CH₂-CH₂-NH₂)可形成配離子：請回答下列問題：

① H、N、O三種元素的電負性由大到小的順序是          。

②SO₂分子的空間構型為           。與SnCl₄互為等電子體的一種離子的化學式為           。

③乙二胺分子中氮原子軌道的雜化類型為          。乙二胺和三甲胺[N(CH₃)₃]均屬于胺，但乙二胺比三甲胺的沸點高的多，原因是                             。

④⑶中所形成的配離子中含有的化學鍵類型有               。   

a．配位鍵     b．極性鍵     c．離子鍵    d．非極性鍵

⑤CuCl的晶胞結構如右圖所示，其中Cl原子的配位數為               。