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某金屬在光的照射下產(chǎn)生光電效應(yīng)，其遏止電壓Uc與入射光頻率v的關(guān)系圖象如圖所示。則由圖象可知

A．該金屬的逸出功等于hv₀

B．遏止電壓是確定的，與照射光的頻率無關(guān)

C．若已知電子電量e，就可以求出普朗克常量h

D．入射光的頻率為2v₀時(shí)，產(chǎn)生的光電子的最大初動能為hv₀

ACD

由愛因斯坦光電效應(yīng)方程可知，E_k=hν-W，對照圖象可知，該金屬的逸出功等于hν₀，選項(xiàng)A正確；入射光的頻率越大，光電子的動能越大，遏止電壓越大。入射光的頻率為2ν₀時(shí)，由愛因斯坦光電效應(yīng)方程可知，產(chǎn)生的光電子的最大初動能為hv₀，選項(xiàng)D正確；

，由此可求得普朗克常量h，C對；

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相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來源：不詳 題型：填空題

（5分）某同學(xué)在研究某金屬的光電效應(yīng)現(xiàn)象時(shí)，發(fā)現(xiàn)該金屬逸出光電子的最大初動能與入射光頻率的關(guān)系如圖所示。若圖線在兩坐標(biāo)軸上的截距分別為a和—b，由圖線可以得到普朗克常數(shù)的數(shù)
值為；單位為。若入射光的頻率為該金屬截止頻率的2倍，則逸出的光電子的最大初動能為 J。

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科目：高中物理 來源：不詳 題型：填空題

照射金屬的光子能量為6eV，則此光子的頻率為 ______，可使逸出光電子的最大初動能為1.5eV．如果照射光光子的能量變?yōu)?2eV，則逸出電子的最大初動能變?yōu)開____．

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科目：高中物理 來源：不詳 題型：單選題

如圖所示是光電管的原理圖，已知當(dāng)有波長為λ₀的光照到陰極K時(shí)，電路中有光電流，則(　　)

A．若換用波長為λ₁(λ₁>λ₀)的光照射陰極K 時(shí)，電路一定沒有光電流

B．若換用波長為λ₂(λ₂<λ₀) 的光照射陰極K時(shí)，電路中光電流一定增大

C．若將變阻器滑動頭P從圖示位置向右滑一些，仍用波長λ₀的光照射，則電路中光電流一定增大

D．若將變阻器滑動頭P從圖示位置向左滑過中心O點(diǎn)時(shí)，其他條件不變，則電路中仍可能有光電流

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科目：高中物理 來源：不詳 題型：單選題

一單色光照射某金屬時(shí)不能產(chǎn)生光電效應(yīng)，則下述措施中可能使該金屬產(chǎn)生光電效應(yīng)的是：

A．延長光照時(shí)間．	B．增大光的強(qiáng)度．
C．換用波長更短的光照射．	D．換用頻率較低的光照射．

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科目：高中物理 來源：不詳 題型：單選題

(2009年高考廣東卷)硅光電池是利用光電效應(yīng)原理制成的器件，下列表述正確的是(　　)

A．硅光電池是把光能轉(zhuǎn)變?yōu)殡娔艿囊环N裝置

B．硅光電池中吸收了光子能量的電子都能逸出

C．逸出的光電子的最大初動能與入射光的頻率無關(guān)

D．任意頻率的光照射到硅光電池上都能產(chǎn)生光電效應(yīng)

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科目：高中物理 來源：不詳 題型：單選題

對愛因斯坦光電效應(yīng)方程E_k＝hν－W₀，下面的理解正確的是(　　)

A．只要是用同種頻率的光照射同一種金屬，那么從金屬中逸出的所有光電子都會具有同樣的初動能E_k

B．式中的W₀表示每個光電子從金屬中飛出過程中克服金屬中正電荷引力所做的功

C．逸出功W₀和極限頻率ν₀之間應(yīng)滿足關(guān)系式W₀＝hν₀

D．光電子的最大初動能和入射光的頻率成正比

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科目：高中物理 來源：不詳 題型：填空題

美國物理學(xué)家密立根通過測量金屬的遏止電壓U_c與入射光頻率ν，算出普朗克常量h，并與普朗克根據(jù)黑體輻射得出的h相比較，以驗(yàn)證愛因斯坦方程的正確性。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，兩種方法得出的普朗克常量h在誤差允許的范圍內(nèi)是一致的。下圖是某次試驗(yàn)中得到的兩種金屬的遏止電壓U_c與入射光頻率ν關(guān)系圖象，圖中直線的斜率為k。若光電子的電荷量為e ，根據(jù)圖象可知：普朗克常量h=___________________，兩種金屬的逸出功關(guān)系為W_甲____________W_乙（選填“＞”、“＝”或“＜”）。