【題目】如圖所示，電源電動勢為E，內阻為r。電路中的R1為光敏電阻(其電阻隨光照強度增大而減小)。R2為滑動變阻器，D為理想二極管，當開關S閉合時，電容器C中一帶電微粒恰好處于靜止狀態。下列說法中正確的是( )
A. 只增大R1的光照強度，電壓表示數變小
B. 只增大R1的光照強度，電流表示數變小
C. 只將滑片向上端移動時，帶電微粒將向下運動
D. 若斷開開關S，帶電微粒將向下運動
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【題目】某同學測量直流恒流電源的輸出電流I0和定值電阻Rx的阻值，電路如圖所示。實驗器材如下：
直流恒流電源（電源輸出的直流電流I0保持不變，I0約為0.8A）；
待測電阻Rx（阻值為二十幾歐）； 滑動變阻器R（最大阻值50Ω）；
電壓表V（量程15V，內阻約為15kΩ）； 電流表A（量程0.6A，內阻約為0.2Ω）
回答下列問題：
（1）電源開關閉合前，滑動變阻器的滑片P應滑動到______處（選填“a ”、“b”），其理由是
________________________________________________________________________ .
（2）電源開關閉合后，多次調節滑動變阻器，記下電流表的示數I和電壓表的示數U ；在圖所示的坐標紙上以U為縱坐標、I為橫坐標描點，用直線擬合，作出U-I圖線__________，則恒流電源輸出電流的測量值I0 =_______A，待測電阻的測量值Rx =_______Ω。（結果保留兩位有效數字）
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【題目】如圖甲所示，AB是某電場中的一條電場線，若有一電子僅在電場力作用下，以某一初速度沿AB由A點運動到B點，所經位置的電勢隨與A點距離的變化規律如圖乙所示。以下說法錯誤的是（ ）
A.A、B兩點的電場強度
B.電子在A、B兩點的速度
C.A、B兩點的電勢
D.電子在A、B兩點的電勢能
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【題目】一勻強電場的方向平行于xOy平面，平面內a、b、c三點的位置如圖所示，三點的電勢分別為10 V、17 V、26 V. 下列說法不正確的是( )
A.電場強度的大小為2. 5 V/cm
B.坐標原點處的電勢為1 V
C.電子在a點的電勢能比在b點的低7 eV
D.電子從b點運動到c點，電場力做功為9 eV
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【題目】如圖所示，A、B為水平放置的兩個平行金屬板，兩板相距d，分別與電源兩極相連，兩板的中央各有一個小孔M和N．今有一帶電油滴，質量為m，從A板的上方距A板為d的P點由靜止開始自由下落(P、M、N在同一豎直線上)，空氣阻力忽略不計，帶電油滴通過N孔時的動能Ek＜2mgd．若將極板A向上移一小段距離，到圖中虛線所示位置，則帶電油滴通過N孔時的動能Ek′和油滴所帶電荷的種類是( )
A.油滴帶正電，Ek′＝EkB.油滴帶正電，Ek′＜Ek
C.油滴帶負電，Ek′＝EkD.油滴帶負電，Ek′＜Ek
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【題目】真空中的某裝置如圖所示，其中平行金屬板A、B之間有加速電場，C、D之間有偏轉電場，M為熒光屏．今有質子、氘核和α粒子均由A板從靜止開始被加速電場加速后垂直于電場方向進入偏轉電場，最后打在熒光屏上．已知質子、氘核和α粒子的質量之比為1∶2∶4，電荷量之比為1∶1∶2，則下列判斷中正確的是( )
A.三種粒子從B板運動到熒光屏經歷的時間相同
B.三種粒子打到熒光屏上的位置相同
C.偏轉電場的電場力對三種粒子做功之比為1∶2∶2
D.偏轉電場的電場力對三種粒子做功之比為1∶2∶4
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【題目】小燈泡通電后其電流I隨所加電壓U變化的圖線如圖所示，P為圖線上一點，PN為圖線的切線，PQ為U軸的垂線，PM為I軸的垂線，下列說法中正確的是
A.隨著所加電壓的增大，小燈泡的電阻減小
B.對應P點，小燈泡的電阻為
C.對應P點，小燈泡的電阻為
D.對應P點，小燈泡功率為圖中矩形PQOM所圍“面積”的數值
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【題目】如圖所示，一圓環上均勻分布著正電荷，x軸垂直于環面且過圓心O，下列關于x軸上的電場強度和電勢的說法中正確的是（ ）
A．O點的電場強度為零，電勢最低
B．O點的電場強度為零，電勢最高
C．從O點沿x軸正方向，電場強度減小，電勢升高
D．從O點沿x軸正方向，電場強度增大，電勢降低
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【題目】霍爾效應是電磁基本現象之一，近期我國科學家在該領域的實驗研究上取得了突破性進展．如圖1所示，在一矩形半導體薄片的P，Q間通入電流I，同時外加與薄片垂直的磁場B，在M，N間出現電壓UH，這個現象稱為霍爾效應，UH稱為霍爾電壓，且滿足UH＝k
，式中d為薄片的厚度，k為霍爾系數．某同學通過實驗來測定該半導體薄片的霍爾系數．
(1)若該半導體材料是空穴(可視為帶正電粒子)導電，電流與磁場方向如圖1所示，該同學用電壓表測量UH時，應將電壓表的“＋”接線柱與______(填“M”或“N”)端通過導線相連．
(2)已知薄片厚度d＝0.40 mm，該同學保持磁感應強度B＝0.10 T不變，改變電流I的大小，測量相應的UH值，記錄數據如下表所示．根據表中數據在圖2中畫出UH—I圖線，利用圖線求出該材料的霍爾系數為______×10－3V·m·A－1·T－1(保留2位有效數字).
(3)該同學查閱資料發現，使半導體薄片中的電流反向再次測量，取兩個方向測量的平均值，可以減小霍爾系數的測量誤差，為此該同學設計了如圖3所示的測量電路，S1，S2均為單刀雙擲開關，虛線框內為半導體薄片(未畫出)．為使電流從Q端流入，P端流出，應將S1擲向________(填“a”或“b”)，S2擲向________(填“c”或“d”)．為了保證測量安全，該同學改進了測量電路，將一合適的定值電阻串聯在電路中．在保持其它連接不變的情況下，該定值電阻應串聯在相鄰器件________和________(填器件代號)之間．
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