Question

【題目】質(zhì)量為m、帶正電的，電量為+q的小金屬塊A以水平初速度v0從高臺(tái)右邊緣P點(diǎn)進(jìn)入存在著水平向左勻強(qiáng)電場(chǎng)的右側(cè)空間中，場(chǎng)強(qiáng)大小E＝2mg/q，高臺(tái)足夠高，則（ ）

A. 金屬塊做平拋運(yùn)動(dòng)

B. 經(jīng)過(guò)足夠長(zhǎng)的時(shí)間金屬塊一定會(huì)與高臺(tái)右側(cè)邊緣PQ相碰

C. 金屬塊運(yùn)動(dòng)過(guò)程中距高臺(tái)邊緣的最大水平距離為

D. 金屬塊運(yùn)動(dòng)過(guò)程的最小速度為

Answer 1

【答案】BCD

【解析】

電場(chǎng)力F=qE=q=2mg，向左，故小金屬塊水平方向向右做勻減速直線運(yùn)動(dòng)，豎直方向做自由落體運(yùn)動(dòng)，合運(yùn)動(dòng)不是平拋運(yùn)動(dòng)，故A錯(cuò)誤；小金屬塊水平方向先向右做勻減速直線運(yùn)動(dòng)，然后向左做勻加速直線運(yùn)動(dòng)，故一定會(huì)與高臺(tái)邊緣相碰，故B正確；小金屬塊水平方向先向右做勻減速直線運(yùn)動(dòng)，加速度為-2g，根據(jù)速度位移關(guān)系公式，有：，故C正確；小金屬塊水平方向向右做勻減速直線運(yùn)動(dòng)，分速度vx=v0-2gt；豎直方向做自由落體運(yùn)動(dòng)，分速度vy=gt；合速度，根據(jù)二次函數(shù)知識(shí)，當(dāng)時(shí)，有極小值，故D正確；故選BCD。