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如圖11所示，在垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場的邊界上有兩個(gè)質(zhì)量和電荷量均相同的正、負(fù)離子，從O點(diǎn)以相同的速度射入磁場中，射入方向均與邊界成θ角.若不計(jì)重力，則正、負(fù)離子在磁場中的下列說法,正確的是（　　）

圖11

A．運(yùn)動的軌道半徑不相同?

B．重新回到邊界的速度大小和方向都相同?

C．重新回到邊界的位置與O點(diǎn)距離不相同?

D．運(yùn)動的時(shí)間相同

由知軌道半徑相同,A錯(cuò).畫好正、負(fù)粒子的運(yùn)動軌跡可知,正、負(fù)在磁場中的軌跡分別是同一圓的一段優(yōu)弧和劣弧.兩段軌跡相加是一個(gè)完整的圓,則CD錯(cuò)誤,只有B正確.?

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相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來源：不詳 題型：問答題

如圖11-3-14所示，M、N為兩塊帶等量異種電荷的平行金屬板，S₁、S₂為板上正對的小孔，N板右側(cè)有兩個(gè)寬度為d的勻強(qiáng)磁場區(qū)域，磁感應(yīng)強(qiáng)度大小均為B，方向分別垂直于紙面向外和向里，磁場區(qū)域右側(cè)有一個(gè)熒光屏.取屏上與S₁、S₂共線的O點(diǎn)為原點(diǎn)，向上為正方向建立x軸，M板左側(cè)電子槍發(fā)射出的熱電子經(jīng)小孔S₁進(jìn)入兩板間，電子的質(zhì)量為m，電荷量為e，初速度可以忽略.求：
（1）當(dāng)兩板間電勢差為U₀時(shí)，求從小孔S₂射出的電子的速度v₀.
（2）求兩金屬板間電勢差U在什么范圍內(nèi)，電子不能穿過磁場區(qū)域而打到熒光屏上.
（3）若電子能夠穿過磁場區(qū)域而打到熒光屏上，試定性地畫出電子運(yùn)動的軌跡.
（4）求電子打到熒光屏上的位置坐標(biāo)x和金屬板間電勢差U的函數(shù)關(guān)系.

圖11-3-14

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科目：高中物理 來源：不詳 題型：實(shí)驗(yàn)題

質(zhì)量為m，電荷量為q的帶電粒子以速率v在勻強(qiáng)磁場中做勻速圓周運(yùn)動，磁場磁感應(yīng)強(qiáng)度為B，則粒子通過位移為

時(shí)所用的最小時(shí)間是______.

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科目：高中物理 來源：不詳 題型：實(shí)驗(yàn)題

如圖所示，帶電荷量+q、質(zhì)量m的小球從傾角為θ的光滑斜面由靜止下滑，勻強(qiáng)磁場B垂直紙面向外，小球在斜面上運(yùn)動的最大距離為________________.若小球跟斜面的動摩擦因數(shù)為μ，且勻強(qiáng)磁場B大小不變，方向反向，現(xiàn)仍讓小球由靜止下滑，則小球在斜面上運(yùn)動的最大速度為__________________.

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科目：高中物理 來源：不詳 題型：單選題

如圖6所示，某空間存在正交的勻強(qiáng)磁場和勻強(qiáng)電場，電場方向水平向右，磁場方向垂直紙面向里.一帶電粒子由a點(diǎn)進(jìn)入電磁場并剛好能沿ab直線向上運(yùn)動.下列說法正確的是(　　)?

圖6

A．微粒一定帶負(fù)電

B．微粒動能一定減少?

C．微粒的電勢能一定增加

D．微粒的機(jī)械能一定增加?

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科目：高中物理 來源：不詳 題型：單選題

如圖15-5-14所示，在第Ⅰ象限內(nèi)有垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場.一對正、負(fù)電子分別以相同速率，沿與x軸成30°的方向從原點(diǎn)射入磁場，則正、負(fù)電子在磁場中運(yùn)動的時(shí)間之比為（）

圖15-5-14

A．1∶2

B．2∶1

C．1∶

D．1∶1

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科目：高中物理 來源：不詳 題型：問答題

一個(gè)密度ρ="9" g/cm³、橫截面積S="10" mm²的金屬環(huán),處于徑向?qū)ΨQ、方向發(fā)散的磁場中,如圖15-2-25所示,環(huán)上各點(diǎn)的磁感應(yīng)強(qiáng)度為B="0.70" T,與環(huán)面夾角α=60°.若在環(huán)中通以順時(shí)針方向(俯視)電流I="2" A,并保持Δt="0.2" s,試分析環(huán)將做什么運(yùn)動,上升的最大高度是多少.(不計(jì)空氣阻力)

圖15-2-25

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科目：高中物理 來源：不詳 題型：計(jì)算題

如圖15-4所示，區(qū)域Ⅰ和區(qū)域Ⅱ的勻強(qiáng)磁場磁感應(yīng)強(qiáng)度大小相等、方向相反.在區(qū)域Ⅱ的A處有一靜止的原子核發(fā)生α衰變，生成的新核電荷量為q（大于α粒子帶電荷量），新核和α粒子的運(yùn)動軌跡如圖，其中一個(gè)由區(qū)域Ⅱ進(jìn)入?yún)^(qū)域Ⅰ，與光滑絕緣擋板PN垂直相碰后（PN與磁場分界線CD平行），經(jīng)過一段時(shí)間又能返回到A處，已知區(qū)域Ⅰ的寬度為d，試求新核和α粒子的軌道半徑.（基元電荷電荷量為e）