Question

下列有關(guān)晶體的敘述中，錯(cuò)誤的是（　�。�

• A、在SiO₂晶體中，每個(gè)Si原子與4個(gè)O原子形成共價(jià)鍵
• B、在面心立方密堆積的金屬晶體中，每個(gè)金屬原子周圍緊鄰的有4個(gè)金屬原子
• C、NaCl晶體中與每個(gè)Na⁺距離相等且最近的Cl^-有6個(gè)
• D、CsCl晶體中與每個(gè)Cs⁺距離相等且最近的Cl^-有8個(gè)

Answer 1

分析：A．二氧化硅晶體中，每個(gè)硅原子和4個(gè)氧原子形成共價(jià)鍵，每個(gè)氧原子和2個(gè)硅原子形成共價(jià)鍵；
B．在面心立方密堆積的金屬晶體中，每個(gè)金屬原子的配位數(shù)是12；
C．氯化鈉晶體中陰陽離子的配位數(shù)是6；
D．氯化銫晶體中陰陽離子的配位數(shù)是8．

解答：解：A．二氧化硅晶體中，每個(gè)硅原子和4個(gè)氧原子形成共價(jià)鍵，每個(gè)氧原子和2個(gè)硅原子形成共價(jià)鍵，Si原子的價(jià)層電子對數(shù)為4，屬于sp³雜化，故A正確；
B．面心立方密堆積的金屬晶體的配位數(shù)=3×8×

1

2

=12，即金屬晶體中，每個(gè)金屬原子周圍緊鄰的有12個(gè)金屬原子，故B錯(cuò)誤；
C．由氯化鈉晶體的晶胞可知，氯化鈉晶體中每個(gè)Na⁺或Cl^-周圍緊鄰的有6個(gè)Cl^-或Na⁺，故C正確；
D．由氯化銫體的晶胞可知，CsCl晶體中每個(gè)Cs⁺周圍緊鄰的有8個(gè)Cl^-，而和每個(gè)Cl^-等距離緊鄰的也有8個(gè)Cs⁺，故D正確；
故選B．

點(diǎn)評：本題考查了晶胞結(jié)構(gòu)、金屬晶體的堆積方式、二氧化硅的結(jié)構(gòu)等知識點(diǎn)，熟練掌握教材中這幾種晶體結(jié)構(gòu)例子，明確其空間結(jié)構(gòu)類型，會進(jìn)行計(jì)算配位數(shù)、原子雜化方式等，題目難度不大．