(12分)用含少量鐵的氧化銅制取氯化銅晶體（CuCl2·xH2O）。有如下操作： 
已知：在pH為4～5時，Fe3+幾乎完全水解而沉淀，Cu2+卻不水解。
① 加熱酸溶過程中發生反應的化學方程式有： 。
② 氧化劑A可選用 （填編號，下同）。
A.KMnO4 B. HNO3 C. Cl2
③ 要得到較純的產品，試劑B可選用 。
A. NaOH B. CuO C.FeO
④ 試劑B的作用是 。
A. 使Cu2+完全沉淀 B. 使Fe3+完全沉淀
C. 降低溶液的pH D. 提高溶液的pH
⑤ 從濾液經過結晶得到氯化銅晶體的實驗條件是 。
科目：高中化學 來源： 題型：
(12分)用含少量鐵的氧化銅制取氯化銅晶體（CuCl2·xH2O）。有如下操作：
已知：在pH為4～5時，Fe3+幾乎完全水解而沉淀，Cu2+卻不水解。
① 加熱酸溶過程中發生反應的化學方程式有： 。
② 氧化劑A可選用 （填編號，下同）。
A.KMnO4 B. HNO3 C. Cl2
③ 要得到較純的產品，試劑B可選用 。
A. NaOH B. CuO C.FeO
④ 試劑B的作用是 。
A. 使Cu2+完全沉淀 B. 使Fe3+完全沉淀
C. 降低溶液的pH D. 提高溶液的pH
⑤ 從濾液經過結晶得到氯化銅晶體的實驗條件是 。
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科目：高中化學 來源：2013屆江蘇省泗陽致遠中學高三實驗班第一次模擬考試化學試卷（帶解析） 題型：填空題
(12分) 氮化硅硬度大、熔點高、不溶于酸（氫氟酸除外），是一種重要的結構陶瓷材料。一種用工業硅（含少量鉀、鈉、鐵、銅的氧化物），已知硅的熔點是1420℃，高溫下氧氣及水蒸氣能明顯腐蝕氮化硅。一種合成氮化硅的工藝主要流程如下：
（1）凈化N2和H2時，銅屑的作用是： ；硅膠的作用是 。
（2）在氮化爐中3SiO2(s)+2N2(g)=Si3N4(s) △H=－727.5kJ/mol，開始時為什么要嚴格控制氮氣的流速以控制溫度： ；體系中要通入適量的氫氣是為了 。
（3）X可能是 （選填：“鹽酸”、“硝酸”、“硫酸”、“氫氟酸”）。
（4）用硅粉作硅源、疊氮化鈉（NaN3）作氮源，直接燃燒生成氮化硅（發生置換反應），該反應的化學方程式為： 。
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科目：高中化學 來源：2012-2013學年江蘇省高三實驗班第一次模擬考試化學試卷（解析版） 題型：填空題
(12分) 氮化硅硬度大、熔點高、不溶于酸（氫氟酸除外），是一種重要的結構陶瓷材料。一種用工業硅（含少量鉀、鈉、鐵、銅的氧化物），已知硅的熔點是1420℃，高溫下氧氣及水蒸氣能明顯腐蝕氮化硅。一種合成氮化硅的工藝主要流程如下：
（1）凈化N2和H2時，銅屑的作用是： ；硅膠的作用是 。
（2）在氮化爐中3SiO2(s)+2N2(g)=Si3N4(s) △H=－727.5kJ/mol，開始時為什么要嚴格控制氮氣的流速以控制溫度： ；體系中要通入適量的氫氣是為了 。
（3）X可能是 （選填：“鹽酸”、“硝酸”、“硫酸”、“氫氟酸”）。
（4）用硅粉作硅源、疊氮化鈉（NaN3）作氮源，直接燃燒生成氮化硅（發生置換反應），該反應的化學方程式為： 。
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科目：高中化學 來源：2011-2012學年內蒙古呼倫貝爾市高三第二次模擬考試化學試卷 題型：填空題
(12分)用含少量鐵的氧化銅制取氯化銅晶體（CuCl2·xH2O）。有如下操作：
已知：在pH為4～5時，Fe3+幾乎完全水解而沉淀，Cu2+卻不水解。
① 加熱酸溶過程中發生反應的化學方程式有： 。
② 氧化劑A可選用 （填編號，下同）。
A.KMnO4 B. HNO3 C. Cl2
③ 要得到較純的產品，試劑B可選用 。
A. NaOH B. CuO C.FeO
④ 試劑B的作用是 。
A. 使Cu2+完全沉淀 B. 使Fe3+完全沉淀
C. 降低溶液的pH D. 提高溶液的pH
⑤ 從濾液經過結晶得到氯化銅晶體的實驗條件是 。
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