Question

【題目】（多選）短周期元素R，T，Q，W在元素周期表中的相對位置如圖所示，其中Q單質可制成半導體材料．下列判斷正確的是（ ）

A.W形成的離子半徑大于T形成的離子半徑
B.W的單質在過量氧氣中燃燒生成WO3
C.最高價氧化物的水化物的酸性：R＜Q
D.T是地殼中含量最多的金屬元素，其單質的化學性質較活潑

Answer 1

【答案】AD
【解析】解：短周期元素R、T、Q、W，根據(jù)元素所處的位置，可確定T、Q、W為第三周期的元素，R為第二周期元素，Q單質可制成半導體材料，應為Si元素，則T為Al元素，W為S元素，R為N元素，
A．S2﹣比Al3+多一個電子層，離子半徑較大，故A正確；
B．S與氧氣反應生成SO2 ， 故B錯誤；
C．非金屬性N＞Si，最高價氧化物的水化物的酸性：R＞Q，故C錯誤；
D．Al為地殼中含量最多的金屬元素，為活潑金屬，故D正確．
故選AD．
短周期元素R、T、Q、W，根據(jù)元素所處的位置，可確定T、Q、W為第三周期的元素，R為第二周期元素，Q單質可制成半導體材料，應為Si元素，則T為Al元素，W為S元素，R為N元素，以此解答該題．