Question

（2009?廣東）銅單質(zhì)及其化合物在很多領域有重要的用途，如金屬銅用來制造電線電纜，五水硫酸銅可用作殺菌劑．
（1）Cu位于元素周期表第I B族．Cu²⁺的核外電子排布式為

[Ar]3d⁹或1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d⁹

．
（2）右圖是銅的某種氧化物的晶胞結構示意圖，可確定該晶胞中陰離子的個數(shù)為

4

．
（3）膽礬CuSO₄?5H₂O可寫成[Cu（H₂O₄）]SO₄?H₂O，其結構示意圖如下：

下列說法正確的是

ABD

（填字母）．
A．在上述結構示意圖中，所有氧原子都采用sp³雜化
B．在上述結構示意圖中，存在配位鍵、共價鍵和離子鍵
C．膽礬是分子晶體，分子間存在氫鍵
D．膽礬中的水在不同溫度下會分步失去
（4）往硫酸銅溶液中加入過量氨水，可生成[Cu（NH₃）₄]²⁺配離子．已知NF₃與NH₃的空間構型都是三角錐形，但NF₃不易與Cu²⁺形成配離子，其原因是

F的電負性比N大，N-F成鍵電子對向F偏移，導致NF₃中N原子核對其孤對電子的吸引能力增強，難以形成配位鍵，故NF₃不易與Cu²⁺形成配離子（或者N、F、H三種元素的電負性：F＞N＞H，在NF₃中，共用電子對偏向F，偏離N原子使得氮原子上的孤對電子難于與Cu²⁺形成配位鍵．）

．
（5）Cu₂O的熔點比Cu₂S的

高

（填“高”或“低”），請解釋原因

Cu₂O與Cu₂S相比，陽離子相同、陰離子所帶的電荷數(shù)也相同，但O^2-半徑比S^2-半徑小，所以Cu₂O的晶格能更大，熔點更高

．

Answer 1

分析：（1）根據(jù)Cu的電子排布式書寫Cu²⁺離子的電子排布式；
（2）利用均攤法分析晶胞的結構；
（3）根據(jù)結構示意圖中所有氧原子都是飽和氧原子，存在O→Cu配位鍵，H-O、S-O共價鍵和Cu、O離子鍵，膽礬屬于離子晶體以及膽礬晶體中水兩類，一類是形成配體的水分子，一類是形成氫鍵的水分子等角度分析；
（4）根據(jù)電負性的角度分析；
（5）從影響離子晶體熔沸點高低的角度分析．

解答：解：（1）Cu（電子排布式為：[Ar]3d¹⁰4s¹）Cu²⁺的過程中，參與反應的電子是最外層的4s及3d上各一個電子，故Cu²⁺離子的電子排布式是為：[Ar]3d⁹或1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d⁹，故答案為：[Ar]3d⁹或1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d⁹；
（2）從圖中可以看出陰離子在晶胞有四類：頂點（8個）、棱上（4個）、面上（2個）、體心（1個），根據(jù)立方體的分攤法，可知該晶胞中陰離子數(shù)目為：8×

1

8

+4×

1

4

+2×

1

2

+1=4，故答案為：4；
（3）A．在上述結構示意圖中，所有氧原子都是飽和氧原子，所以都采用sp³雜化，故A正確；
B．在上述結構示意圖中，存在O→Cu配位鍵，H-O、S-O共價鍵和Cu、O離子鍵，故B正確；
C．膽礬是五水硫酸銅，膽礬是由水合銅離子及硫酸根離子構成的，屬于離子晶體，故C錯誤；
D．由于膽礬晶體中水兩類，一類是形成配體的水分子，一類是形成氫鍵的水分子，結合上有著不同，因此受熱時也會因溫度不同而得到不同的產(chǎn)物，故D正確．
故答案為：ABD．
（4）N、F、H三種元素的電負性：F＞N＞H，所以NH₃中共用電子對偏向N，而在NF₃中，共用電子對偏向F，偏離N原子，故答案為：F的電負性比N大，N-F成鍵電子對向F偏移，導致NF₃中N原子核對其孤對電子的吸引能力增強，難以形成配位鍵，故NF₃不易與Cu²⁺形成配離子（或者N、F、H三種元素的電負性：F＞N＞H，在NF₃中，共用電子對偏向F，偏離N原子使得氮原子上的孤對電子難于與Cu²⁺形成配位鍵．）；
（5）由于氧離子的離子半徑小于硫離子的離子半徑，所以亞銅離子與氧離子形成的離子鍵強于亞銅離子與硫離子形成的離子鍵，所以Cu₂O的熔點比Cu₂S的高．
故答案為：高；Cu₂O與Cu₂S相比，陽離子相同、陰離子所帶的電荷數(shù)也相同，但O^2-半徑比S^2-半徑小，所以Cu₂O的晶格能更大，熔點更高．

點評：本題考查常見元素核外電子排布、電負性概念、常見軌道雜化類型、以及離子晶體的晶胞結構、化學鍵、物質(zhì)性質(zhì)、配合物成鍵狀況的了解，題目難度中等，學習中注意加強對晶胞以及晶體結構的分析．