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實(shí)現(xiàn)下列變化時(shí)，需克服相同類(lèi)型作用力的是

A．二氧化硅和干冰的熔化	B．液溴和鈉的氣化
C．食鹽和冰的熔化	D．純堿和燒堿的熔化

二氧化硅是原子晶體，熔化克服的是共價(jià)鍵，干冰、液溴、冰形成的晶體都是分子晶體，熔化克服的是分子間作用力。氯化鈉、純堿和燒堿形成的都是離子晶體，熔化克服的是離子鍵，鈉形成的晶體是金屬晶體，熔化克服的是金屬鍵，所以正確的答案選D。

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相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來(lái)源：不詳 題型：單選題

已知C₃N₄晶體很可能具有比金剛石更大的硬度，且原子間均以單鍵結(jié)合，下列關(guān)于C₃N₄晶體的說(shuō)法正確的是

A．C₃N₄晶體是分子晶體

B．C₃N₄晶體中，C-N鍵的鍵長(zhǎng)比金剛石中的C-C鍵的鍵長(zhǎng)要長(zhǎng)

C．C₃N₄晶體中每個(gè)C原子連接4個(gè)N原子，而每個(gè)N原子連接3個(gè)C原子

D．C₃N₄晶體中微粒間通過(guò)離子鍵結(jié)合

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源：不詳 題型：單選題

下列物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)高低順序中，正確的是

A．金剛石＞晶體硅＞二氧化硅＞碳化硅	B．CI₄＞CBr₄＞CCl₄＞CH₄
C．MgO＞O₂＞N₂＞H₂O	D．金剛石＞生鐵＞純鐵＞鈉

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源：不詳 題型：單選題

現(xiàn)有四種晶體，其離子排列方式如圖所示，其中化學(xué)式不屬于AB型的是

A B C D

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源：不詳 題型：填空題

（10分）
（1）下圖表示一些晶體的結(jié)構(gòu)（晶胞），其中代表干冰的是；

（2）MgO晶胞空間構(gòu)型與NaCl晶體相同，MgO晶體中Mg²^＋的配位數(shù)為_(kāi)_______。與同個(gè)Mg²^＋等距且最近的O²^－圍成的空間幾何構(gòu)型是　　　　　　。MgO晶體熔點(diǎn)高于NaCl晶體，原因是　　　　　　　　　　          　　　　　　　　；
（3）若C、D代表某種元素中的兩種同分異構(gòu)體，C中原子的雜化類(lèi)型是　　　　，屬于　　　晶體。D中原子的雜化類(lèi)型是　　　　，D能導(dǎo)電的原因是　                          　；
（4）原子晶體能否形成最密堆積結(jié)構(gòu)？　，原因是                   ；
(5)偏鈦酸鋇的熱穩(wěn)定性好，介電常數(shù)高，在小型變壓器、話筒和擴(kuò)音器中都有應(yīng)用。偏鈦酸鋇晶體中晶胞的結(jié)構(gòu)示意圖如下圖，它的化學(xué)式是    　　　。

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源：不詳 題型：填空題

（12分）已知：G、Q、R、T、X、Y、Z都是周期表中前四周期的元素，它們的核電荷數(shù)依次增大。G的簡(jiǎn)單陰離子最外層有2個(gè)電子，Q原子最外層電子數(shù)是內(nèi)層電子數(shù)的兩倍，X元素最外層電子數(shù)與最內(nèi)層電子數(shù)相同；T₂R的晶體類(lèi)型是離子晶體，Y原子基態(tài)3p原子軌道上有2個(gè)未成對(duì)電子，其單質(zhì)晶體類(lèi)型屬于原子晶體；在元素周期表中Z元素位于第10列。
回答下列問(wèn)題：
⑴Z的核外電子排布式是     。
⑵X以及與X左右相鄰的兩種元素，其第一電離能由小到大的順序?yàn)?u>     。
⑶QR₂分子中，Q原子采取     雜化，寫(xiě)出與QR₂互為等電子體的一種分子的化學(xué)式：     。
⑷分子式為Q₂G₆R的物質(zhì)有兩種，其中一種易溶于水，原因是     ；T的氯化物的熔點(diǎn)比Y的氯化物的熔點(diǎn)高，原因是     。
⑸據(jù)報(bào)道，由Q、X、Z三種元素形成的一種晶體具有超導(dǎo)性，其晶體結(jié)構(gòu)如圖所示。晶體中距每個(gè)X原子周?chē)嚯x最近的Q原子有     個(gè)。