【題目】把1mol X和1mol Y混合于2L的密閉容器中，發生如下反應 2X（g）+Y（g）=nZ（g）+2W（g），2min末X的物質的量為0.2mol，以Z的濃度表示的反應速率為0.1mol/（Lmin） 請回答：
（1）前2min以X的濃度表示的平均反應速率
（2）n值．
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【題目】下列熱方程式書寫正確的是（ ）
A.2SO2+O2═2H2O△H=﹣196.6 kJ/mol
B.2H2（g）+O2（g）═2H2O（l）△H=﹣517.6 kJ/mol
C.H2（g）+ 
O2（g）═H2O（l）△H=﹣285.8 kJ
D.C（s）+O2（g）═CO2（g）△H=+393.5 kJ/mol
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【題目】下面關于硅的敘述中，正確的是（ ）
A. 粗硅制備單晶硅不涉及氧化還原反應
B. 硅是構成礦物和巖石的主要元素，硅在地殼中的含量在所有的元素中居第一位
C. 硅的化學性質不活潑，在自然界中可以以游離態存在
D. 硅在電子工業中，是重要的半導體材料
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【題目】某化學學習小組設計如圖實驗裝置（夾持裝置略去）制備氯氣并探究氯氣的相關性質．D裝置為分液漏斗形狀，低進高出． 
（1）若A裝置中固體藥品為MnO2 ， 寫出其離子反應方程式；若A裝置中固體藥品為KC1O3 ， 則反應中每生成1mol Cl2時轉移電子數目為 ．
（2）裝置B的作用是和 ， 若C處發生了堵塞，則B中的現象 ．
（3）裝置C的作用是驗證氯氣是否具有漂白性，I處是濕潤的有色布條，則II、III處應加入的物質分別是和 ．
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【題目】【化學-選修3：物質結構與性質】砷化鎵（GaAs）是優良的半導體材料，可用于制作微型激光器或太陽能電池的材料等．回答下列問題：
（1）寫出基態As原子的核外電子排布式 ．
（2）根據元素周期律，原子半徑GaAs，第一電離能GaAs．（填“大于”或“小于”）
（3）AsCl3分子的立體構型為 ， 其中As的雜化軌道類型為 ．
（4）GaF3的熔點高于1000℃，GaCl3的熔點為77.9℃，其原因是 ．
（5）GaAs的熔點為1238℃，密度為ρ gcm﹣3 ， 其晶胞結構如圖所示．
該晶體的類型為 ， Ga與As以鍵鍵合．Ga和As的摩爾質量分別為MGa gmol﹣1和MAs gmol﹣1 ， 原子半徑分別為rGa pm和rAs pm，阿伏伽德羅常數值為NA ， 則GaAs晶胞中原子的體積占晶胞體積的百分率為 ．
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【題目】在給定的條件下，下列選項所示的物質間轉化均能實現的是（ ）
A.SiO2 
SiCl4 
Si
B.FeS2 
SO2 
H2SO4
C.N2 
NH3 NH4Cl（aq）
D.MgCO3 MgCl2（aq） 
Mg
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【題目】短周期元素X、Y、Z、W、Q在元素周期表中的相對位置如圖所示．下列說法正確的是（ ） 
A.元素X與元素Z的最高正化合價之和的數值等于8
B.原子半徑的大小順序為：rX＞rY＞rZ＞rW＞rQ
C.離子Y2﹣和Z3+的核外電子數和電子層數都不相同
D.元素W的最高價氧化物對應的水化物的酸性比Q的強
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【題目】下列化學用語的表述正確的是（ ）
A.離子結構示意圖 
：可以表示16O2﹣ ， 也可以表示18O2﹣
B.比例模型 
：可以表示甲烷分子，也可以表示四氯化碳分子
C.氯化銨的電子式為： 
D.CO2的結構式為：O﹣C﹣O
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【題目】工業上以1，3﹣丁二烯，丙烯，乙炔等為原料合成 
流程圖如圖 
（1）反應①的反應類型是 ， B中含有的官能團的名稱 ．
（2）寫出反應②的化學方程式 ．
（3）寫出C的結構簡式 ．
（4）寫出 
含有六元環且核磁共振氫譜有4組峰的同分異構體的結構簡式 ．
（5）根據以上合成信息，以乙烯為原料合成1，6﹣己二醇，其他試劑任選，寫出合成的流程圖 ．
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