【題目】在蒸發(fā)皿中加熱蒸干并灼燒(低于400℃)下列物質(zhì)的溶液，可以得到該物質(zhì)的固體的是( )
A. 氯化鋁 B. 碳酸氫鈉 C. 硫酸鎂 D. 高錳酸鉀
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【題目】關(guān)于生物體的組成元素，下列說法正確的是
A. C是細(xì)胞中最基本的元素，在活細(xì)胞中含量最高
B. 生物體內(nèi)C、H、O、N這四種元素的總含量最高
C. 生物體內(nèi)不同物質(zhì)的元素種類和含量均不相同
D. 糖類、脂質(zhì)和蛋白質(zhì)都含有相同比例的C、H、O
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【題目】模擬鐵的電化學(xué)防護(hù)的實驗裝置如圖所示，下列說法不正確的是
A．若X為碳棒，開關(guān)K置于A處可減緩鐵的腐蝕
B．若X為鋅棒，開關(guān)K置于A或B處均可減緩鐵的腐蝕
C．若X為鋅棒，開關(guān)K置于B處時，鐵電極上發(fā)生的反應(yīng)為2H++2e-=H2↑
D．若X為碳棒，開關(guān)K置于A處時，鐵電極上發(fā)生的反應(yīng)為2H++2e-=H2↑
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【題目】氮化硅(Si3N4)是一種優(yōu)良的高溫結(jié)構(gòu)陶瓷，在工業(yè)生產(chǎn)和科技領(lǐng)域中有重要用途。
Ⅰ.工業(yè)上有多種方法來制備氮化硅，下面是幾種常見的方法：
（1）方法一 直接氮化法：在1300～1400 ℃時，高純粉狀硅與純氮氣化合，其反應(yīng)方程式為3Si＋2N2
Si3N4
（2）方法二 可以用NH3和SiH4(硅烷)在一定條件下反應(yīng)，并在600 T的加熱基板上生成氮化硅膜,其反應(yīng)方程式為___________________。
（3）方法三 化學(xué)氣相沉積法：在高溫條件下利用四氯化硅氣體、純氮氣、氫氣反應(yīng)生成氮化硅和HCl，與方法一相比，用此法制得的氮化硅純度較高，其原因是___________________。
（4）方法四 Si(NH2)4熱分解法：先用四氯化硅與氨氣反應(yīng)生成Si(NH2)4和一種氣體__________________(填分子式)；然后使Si(NH2)4受熱分解，分解后的另一種產(chǎn)物的分子式為_________________。
Ⅱ.工業(yè)上制取高純硅和四氯化硅的生產(chǎn)流程如下：
已知：X、高純硅、原料B的主要成分都可與Z反應(yīng)，Y與X在光照或點燃條件下可反應(yīng)，Z的焰色呈黃色。
（1）寫出焦炭與原料B中的主要成分反應(yīng)的化學(xué)方程式：__________________
（2）上述生產(chǎn)流程中電解A的水溶液時，以Cu為陽極電解A的水溶液電解反應(yīng)方程式為 。
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【題目】向含SO
、Fe2＋、Br－、I－各0.1 mol的溶液中通入標(biāo)準(zhǔn)狀況下的Cl2，通入Cl2的體積和溶液中相關(guān)離子的物質(zhì)的量的關(guān)系圖正確的是 ( )
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【題目】某同學(xué)幫助水質(zhì)檢測站配制480 mL 0.5 mol·L－1NaOH溶液以備使用。
（1）該同學(xué)應(yīng)選擇________mL的容量瓶。使用容量瓶前必須進(jìn)行的一步操作是______________
（2）其操作步驟如下圖所示，則如圖操作應(yīng)在下圖中的____________（填選項字母）之間。
A．②與③ B．①與② C．④與⑤
（3）該同學(xué)應(yīng)稱取NaOH固體________g
（4）下列操作對所配溶液的濃度大小有何影響？用“偏高”“偏低”或“無影響”填空：
①定容時俯視刻度線： ；
②搖勻后，液面低于刻度線，沒有再加水： ；
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【題目】下列反應(yīng)的離子方程式書寫正確的是
A. 氨氣溶于醋酸溶液：NH3+H+→NH4+
B. 將硫化氫氣體通入足量氫氧化鈉溶液中，H2S+2OH-→S2-+2H2O
C. 向氯化亞鐵溶液中加入溴水：Fe2++Br2→Fe3++2Br-
D. 碳酸氫鈉溶液中加入足量的石灰水：2HCO3-+Ca2++2OH-→CaCO3↓+CO32-+2H2O
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【題目】與純水的電離相似，液氨中也存在著微弱的電離：2NH3
NH4＋＋NH2－.據(jù)此判斷，以下敘述錯誤的是
A．液氨中含有NH3、NH4＋、NH2－等粒子
B．一定溫度下液氨中c(NH4＋)·c(NH2－)是一個常數(shù)
C．液氨達(dá)到電離平衡時c(NH3)＝c(NH4＋)＝c(NH2－)
D．只要不加入其他物質(zhì)，液氨中c(NH4＋)＝c(NH2－)
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