在物理學中，磁場的強弱用磁感應強度（用字母B表示，國際單位是特斯拉，符號是T）來表示，磁感線越密的地方，磁場越強，磁感應強度B越大.
（1）在圖20中，甲為某磁極附近磁感線的方向和分布的示意圖，由圖可知，該磁極為 ▲ 極，若在l處放置一個小磁針，當小磁針靜止時，其指向應是圖乙中的 ▲ .
（2）磁敏電阻阻值的大小隨磁場的強弱變化而變，圖丁是某磁敏電阻R的阻值隨磁感應強度B變化的圖象，據圖線可知，磁敏電阻的阻值隨磁感應強度B的增大而▲ ．圖線沒有過坐標原點，說明 ▲ .
（3）王強設計了一個可以測量該磁敏電阻R的電路如圖丙所示，（其中磁敏電阻所處的磁場未畫出）．將該磁敏電阻R放置在磁場中的位置某處，測出電阻后，利用R—B特性曲線可以讀出相應的磁感應強度.
①在圖甲磁場中1處，測得的數據如圖20表中所示，則該磁敏電阻的測量值為 ▲ Ω.
②根據該磁敏電阻的R-B特性曲線可知，1處的磁感應強度為 ▲ T.
③在實驗過程中，僅將磁敏電阻從1處移至2處，其它條件不變，那么電流表的示數
▲ （填“增大”、“減小”或“不變”）.
④依據上述方法獲得的磁感應強度B的測量值與該點實際值存在不小的誤差，為盡可能準確反映空間某點磁場的強弱，你認為在選擇磁敏電阻時應注意什么問題？
