Question

【題目】芯片的基材主要是高純硅。下圖是制備高純硅的工藝流程圖:

反應(yīng)Ⅱ實驗裝置如下圖。

[查閱資料]常溫下，氯化鎂溶液呈中性。SiCl4 在室溫下為無色液體，SiCl4 的熔點為-70°C，沸點為57.6°C, 遇水容易變質(zhì)。

(1)反應(yīng)Ⅰ的化學(xué)方程式:______________________。

(2)操作Ⅰ的名稱是_______________。所得粗硅應(yīng)充分洗滌，以除去表面可能含有的鹽酸、_________(填化學(xué)式)。

(3)反應(yīng)II要在無氧氣環(huán)境中進(jìn)行，原因是__________________ (答出一種即可)。

(4) B中試劑的作用是__________________。實驗室用濃硫酸稀釋配制一定量的稀硫酸，用到的玻璃儀器除試劑瓶、量筒、玻璃棒、燒杯外，還需要__________________。

(5)上述已知生產(chǎn)流程中，可以循環(huán)利用的物質(zhì)是__________________(填化學(xué)式)。

Answer 1

【答案】 過濾 MgCl2 防止爆炸(或防止生成的硅被氧化) 吸收水蒸氣 膠頭滴管 HCl

【解析】

（1）由流程圖可在，反應(yīng)Ⅰ的化學(xué)方程式為：；

（2）操作Ⅰ實現(xiàn)了固液分離，故操作Ⅰ的名稱是：過濾；

氧化鎂與稀鹽酸反應(yīng)生成氯化鎂和水，稀鹽酸過量，故所得粗硅應(yīng)充分洗滌，以除去表面可能含有的鹽酸、MgCl2；

（3）氫氣具有可燃性，混有一定量的氧氣，在高溫下，容易發(fā)生爆炸，再者反應(yīng)生成的硅能與氧氣反應(yīng)生成二氧化硅，故反應(yīng)II要在無氧氣環(huán)境中進(jìn)行，原因是防止爆炸或防止生成的硅被氧化；

（4）SiCl4 遇水容易變質(zhì)，故B中試劑的作用是吸收水蒸氣，干燥氣體；

實驗室用濃硫酸稀釋配制一定量的稀硫酸，用到的玻璃儀器除試劑瓶、量筒、玻璃棒、燒杯外，還需要膠頭滴管；

（5）上述已知生產(chǎn)流程中，可以循環(huán)利用的物質(zhì)是：HCl，因為HCl既是生成物又是反應(yīng)物。